MOSFET N-kanałowy 86 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD Pojedynczy 130 W 12 miliomów

Nr art. RS:: 915-5073
Nr części producenta:: IRL3705ZSTRLPBF
Producent:: Infineon

MOSFET N-kanałowy 86 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD Pojedynczy 130 W 12 miliomów

696 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.

Wysyłka standardowa

Dodano do koszyka

Cena netto za szt. (opak. á 8)

3,13 zł

(bez VAT)

3,85 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Za opakowanie*
8 +	3,13 zł	25,02 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 915-5073
Nr części producenta:: IRL3705ZSTRLPBF
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

MOSFET o mocy N-Channel 55 V, Infineon

Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	86 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	55 V
Seria	HEXFET
Typ opakowania	D2PAK (TO-263)
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	12 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	3V
Minimalne napięcie progowe VGS	1V
Maksymalna strata mocy	130 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-16 V, +16 V
Liczba elementów na układ	1
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	40 nC przy 5 V
Długość	10.67mm
Maksymalna temperatura robocza	+175°C
Materiał tranzystora	Si
Szerokość	11.3mm
Napięcie przewodzenia diody	1.3V
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Wysokość	4.83mm

Nr art. RS:: 915-5073
Nr części producenta:: IRL3705ZSTRLPBF
Producent:: Infineon