MOSFET N-kanałowy 30 A TO-247AC 200 V Pojedynczy 190 W 85 miliomów
- Nr art. RS:
- 919-0032
- Nr części producenta:
- IRFP250PBF
- Producent:
- Vishay
475 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 25)
20,54 zł
(bez VAT)
25,26 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 25 - 25 | 20,54 zł | 513,50 zł |
| 50 - 100 | 20,13 zł | 503,25 zł |
| 125 + | 19,10 zł | 477,60 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 919-0032
- Nr części producenta:
- IRFP250PBF
- Producent:
- Vishay
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET N-Channel, od 200 V do 250 V, Vishay Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 30 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
| Typ opakowania | TO-247AC |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 85 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 190 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 5.31mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 140 nC przy 10 V |
| Długość | 15.87mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Materiał tranzystora | Si |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 20.7mm |
- Nr art. RS:
- 919-0032
- Nr części producenta:
- IRFP250PBF
- Producent:
- Vishay