MOSFET P-kanałowy 4,4 A SOT-23 40 V SMD Pojedynczy 2,5 W 108 mΩ
- Nr art. RS:
- 919-4208
- Nr części producenta:
- SI2319CDS-T1-GE3
- Producent:
- Vishay
30000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (3000 na rolce)
0,80 zł
(bez VAT)
0,98 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 3000 + | 0,80 zł | 2 394,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 919-4208
- Nr części producenta:
- SI2319CDS-T1-GE3
- Producent:
- Vishay
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
P-Channel MOSFET, 30 V do 80 V, Vishay Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 4,4 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 40 V |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 108 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.2V |
| Maksymalna strata mocy | 2,5 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 13,6 nC przy 10 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 1.4mm |
| Długość | 3.04mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 1.02mm |