MOSFET N-kanałowy 110 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 200 W 8 mΩ

Nr art. RS:: 919-4763
Nr części producenta:: IRF3205PBF
Producent:: Infineon

MOSFET N-kanałowy 110 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 200 W 8 mΩ

Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 03.05.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.

Wysyłka standardowa

Dodano do koszyka

Cena netto za szt. (w tubie á 50)

4,89 zł

(bez VAT)

6,02 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Per Tube*
50 - 50	4,89 zł	244,60 zł
100 - 200	3,91 zł	195,65 zł
250 - 450	3,67 zł	183,40 zł
500 - 950	3,43 zł	171,25 zł
1000 +	3,18 zł	158,95 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 919-4763
Nr części producenta:: IRF3205PBF
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Kraj pochodzenia:: CN

Szczegółowe dane produktu

MOSFET o mocy N-Channel 55 V, Infineon

Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	110 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	55 V
Seria	HEXFET
Typ opakowania	TO-220AB
Typ montażu	Otwór przezierny
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	8 mΩ
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	4V
Minimalne napięcie progowe VGS	2V
Maksymalna strata mocy	200 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Szerokość	4.69mm
Długość	10.54mm
Liczba elementów na układ	1
Materiał tranzystora	Si
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	146 nC przy 10 V
Maksymalna temperatura robocza	+175°C
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Wysokość	8.77mm

Nr art. RS:: 919-4763
Nr części producenta:: IRF3205PBF
Producent:: Infineon