- Nr art. RS:
- 920-8736
- Nr części producenta:
- STP20NM60FD
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 04.12.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
20,88 zł
(bez VAT)
25,68 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Tube* |
50 - 50 | 20,88 zł | 1 044,00 zł |
100 - 450 | 16,75 zł | 837,25 zł |
500 - 950 | 14,83 zł | 741,25 zł |
1000 - 4950 | 12,51 zł | 625,35 zł |
5000 + | 12,05 zł | 602,35 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 920-8736
- Nr części producenta:
- STP20NM60FD
- Producent:
- STMicroelectronics
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystor zasilający MOSFET, STMicroelectronics, N-Channel FDsiatex™
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 20 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
Seria | FDmesh |
Typ opakowania | TO-220 |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Liczba styków | 3 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 290 mΩ |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Maksymalne napięcie progowe VGS | 5V |
Minimalne napięcie progowe VGS | 3V |
Maksymalna strata mocy | 192 W |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
Szerokość | 4.6mm |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 37 nC przy 10 V |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Liczba elementów na układ | 1 |
Materiał tranzystora | Si |
Długość | 10.4mm |
Wysokość | 9.15mm |
Minimalna temperatura robocza | -65°C |
- Nr art. RS:
- 920-8736
- Nr części producenta:
- STP20NM60FD
- Producent:
- STMicroelectronics