MOSFET N-kanałowy 20 A TO-220 600 V Pojedynczy 192 W 290 mΩ
- Nr art. RS:
- 920-8736
- Nr części producenta:
- STP20NM60FD
- Producent:
- STMicroelectronics
Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
26,94 zł
(bez VAT)
33,14 zł
(z VAT)
Sztuki | Per unit | Per Tube* |
50 - 50 | 26,94 zł | 1 347,20 zł |
100 - 450 | 21,61 zł | 1 080,70 zł |
500 - 950 | 19,13 zł | 956,50 zł |
1000 - 4950 | 16,14 zł | 806,85 zł |
5000 + | 15,55 zł | 777,60 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 920-8736
- Nr części producenta:
- STP20NM60FD
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystor zasilający MOSFET, STMicroelectronics, N-Channel FDsiatex™
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
Typ kanału | N |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 20 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
Typ opakowania | TO-220 |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Liczba styków | 3 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 290 mΩ |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Maksymalne napięcie progowe VGS | 5V |
Minimalne napięcie progowe VGS | 3V |
Maksymalna strata mocy | 192 W |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 37 nC przy 10 V |
Długość | 10.4mm |
Liczba elementów na układ | 1 |
Szerokość | 4.6mm |
Materiał tranzystora | Si |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Minimalna temperatura robocza | -65°C |
Seria | FDmesh |
Wysokość | 9.15mm |
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
26,94 zł
(bez VAT)
33,14 zł
(z VAT)
Sztuki | Per unit | Per Tube* |
50 - 50 | 26,94 zł | 1 347,20 zł |
100 - 450 | 21,61 zł | 1 080,70 zł |
500 - 950 | 19,13 zł | 956,50 zł |
1000 - 4950 | 16,14 zł | 806,85 zł |
5000 + | 15,55 zł | 777,60 zł |
*cena za opakowanie |