MOSFET N-kanałowy 75 A VSONP 40 V SMD Pojedynczy 3,1 W 9.8 mΩ
- Nr art. RS:
- 921-3066
- Nr części producenta:
- CSD18504Q5A
- Producent:
- Texas Instruments
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Cena netto za szt. (2500 na rolce)
3,03 zł
(bez VAT)
3,73 zł
(z VAT)
Produkty | Za jednostkę | Na rolki* |
|---|---|---|
| 2500 + | 3,03 zł | 7 582,50 zł |
*cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 921-3066
- Nr części producenta:
- CSD18504Q5A
- Producent:
- Texas Instruments
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MY
Szczegółowe dane produktu
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
.
Tranzystory MOSFET, Texas Instruments
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 75 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 40 V |
| Typ opakowania | VSONP |
| Seria | NexFET |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 9.8 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.5V |
| Maksymalna strata mocy | 3,1 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Długość | 5.8mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 7,7 nC przy 4,5 V |
| Szerokość | 5mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 1.1mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |