MOSFET N-kanałowy 1.7 A SOT-23 20 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 806 mW DiodesZetex 180 mΩ
- Nr art. RS:
- 922-7611
- Nr części producenta:
- ZXM61N02FTA
- Producent:
- DiodesZetex
Suma częściowa (1 rolka po 3000 sztuk/i)*
2 667,00 zł
(bez VAT)
3 279,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 26 marca 2027
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,889 zł | 2 667,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 922-7611
- Nr części producenta:
- ZXM61N02FTA
- Producent:
- DiodesZetex
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | DiodesZetex | |
| Typ kanału | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 1.7A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 20V | |
| Typ obudowy | SOT-23 | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 180mΩ | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 806mW | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | 12V | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 3.4nC | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 0.95V | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Długość | 3.05mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Wysokość | 1mm | |
| Szerokość | 1.4mm | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q101 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka DiodesZetex | ||
Typ kanału N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 1.7A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 20V | ||
Typ obudowy SOT-23 | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 180mΩ | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalna strata mocy Pd 806mW | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs 12V | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 3.4nC | ||
Napięcie przewodzenia Vf 0.95V | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Długość 3.05mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Wysokość 1mm | ||
Szerokość 1.4mm | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q101 | ||
- Kraj pochodzenia:
- CN
N-Channel MOSFET, 12 V do 28 V, Diody Inc
Tranzystory MOSFET, Diody Inc.
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 1.7 A SOT-23 20 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 806 mW DiodesZetex 180 mΩ ZXM61N02FTA
- MOSFET N-kanałowy 1.2 A SOT-23 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 806 mW DiodesZetex 450 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 800 mA SOT-23 100 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 806 mW DiodesZetex 700 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 1.4 A SOT-23 30 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 806 mW DiodesZetex 300 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 2 A SOT-23 30 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 806 mW DiodesZetex 120 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 2.2 A SOT-23 20 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 806 mW DiodesZetex 225 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 2.4 A SOT-23 20 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 806 mW DiodesZetex 200 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 2 A SOT-23 30 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 806 mW DiodesZetex 120 mΩ ZXMN3A01FTA