MOSFET N-kanałowy 800 mA SOT-23 100 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 806 mW DiodesZetex 700 mΩ

Suma częściowa (1 rolka po 3000 sztuk/i)*

3 336,00 zł

(bez VAT)

4 104,00 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 19 kwietnia 2027
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Na Rolki*
3000 +1,112 zł3 336,00 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
922-7954
Nr części producenta:
ZXMN10A07FTA
Producent:
DiodesZetex
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

DiodesZetex

Typ produktu

MOSFET

Typ kanału

N

Maksymalny ciągły prąd drenu Id

800mA

Maksymalne napięcie dren-źródło Vds

100V

Seria

ZXMN10A07F

Typ obudowy

SOT-23

Typ montażu

Powierzchnia

Liczba styków

3

Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds

700mΩ

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs

-20V, +20V

Napięcie przewodzenia Vf

950mV

Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs

2.9nC

Minimalna temperatura robocza

-55°C

Maksymalna strata mocy Pd

806mW

Maksymalna temperatura robocza

150°C

Normy/Zatwierdzenia

No

Długość

3.05mm

Szerokość

1.4mm

Wysokość

1mm

Norma motoryzacyjna

AEC-Q101

Kraj pochodzenia:
DE

N-Channel MOSFET, od 100V do 950V, Diody Inc


Tranzystory MOSFET, Diody Inc.


Powiązane linki

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.