- Nr art. RS:
- 178-4811
- Nr części producenta:
- MJD112-1G
- Producent:
- onsemi
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 22.07.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 75)
2,21 zł
(bez VAT)
2,72 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Tube* |
75 - 75 | 2,21 zł | 165,60 zł |
150 - 300 | 2,08 zł | 155,63 zł |
375 + | 1,99 zł | 149,03 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 178-4811
- Nr części producenta:
- MJD112-1G
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory NPN Darlington, ON Semiconductor
Normy
Numery części producenta z przedrostkiem S lub NSV są przeznaczone dla motoryzacji zgodnie ze standardem AEC-Q101.
ON Semiconductor MJD112 to uzupełniające tranzystory mocy Darlington przeznaczone do zasilania ogólnego i przełączania, takie jak wyjścia lub stopnie sterownika, w zastosowaniach takich jak regulatory przełączające, konwertery i wzmacniacze mocy.
Wykonanie proste z ołowiu w plastikowych tulei
Urządzenia te są wolne od Pb i zgodne z RoHS
Urządzenia te są wolne od Pb i zgodne z RoHS
.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ tranzystora | NPN |
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 2 A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 100 V |
Maksymalne napięcie emiter-baza | 5 V |
Typ opakowania | IPAK (TO-251) |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Liczba styków | 3 |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Liczba elementów na układ | 1 |
Minimalne wzmocnienie prądu DC | 1000 |
Maksymalne napięcie nasycenia baza-emiter | 4 V |
Maksymalne napięcie kolektor-baza | 100 V |
Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter | 3 V |
Maksymalny prąd odcięcia kolektora | 20µA |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Długość | 6.73mm |
Wymiary | 6.73 x 2.38 x 6.35mm |
Minimalna temperatura robocza | -65°C |
Maksymalna strata mocy | 20 W |
Wysokość | 6.35mm |
Szerokość | 2.38mm |