MOSFET Typ N-kanałowy 320 mA SC-70 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 310 mW Nexperia 1.6 Ω
- Nr art. RS:
- 124-2290
- Nr części producenta:
- BSS138BKW,115
- Producent:
- Nexperia
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 rolka po 3000 sztuk/i)*
990,00 zł
(bez VAT)
1 230,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 03 sierpnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,33 zł | 990,00 zł |
| 9000 + | 0,319 zł | 957,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 124-2290
- Nr części producenta:
- BSS138BKW,115
- Producent:
- Nexperia
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Nexperia | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanału | Typ N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 320mA | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 60V | |
| Typ obudowy | SC-70 | |
| Seria | BSS138BKW | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 1.6Ω | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 310mW | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | 20 V | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 1.1V | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 0.6nC | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Długość | 3mm | |
| Wysokość | 1mm | |
| Szerokość | 1.4 mm | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q101 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Nexperia | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanału Typ N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 320mA | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 60V | ||
Typ obudowy SC-70 | ||
Seria BSS138BKW | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 1.6Ω | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalna strata mocy Pd 310mW | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs 20 V | ||
Napięcie przewodzenia Vf 1.1V | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 0.6nC | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Długość 3mm | ||
Wysokość 1mm | ||
Szerokość 1.4 mm | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q101 | ||
- Kraj pochodzenia:
- MY
MOSFET N-Channel, od 60 V do 80 V, Nexperia
Tranzystory MOSFET, półprzewodniki NXP
Powiązane linki
- MOSFET Typ N-kanałowy 320 mA SC-70 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 310 mW Nexperia 1.6 Ω BSS138BKW,115
- MOSFET Typ N-kanałowy 320 mA SC-70 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 310 mW Nexperia 1.6 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 320 mA SC-70 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 310 mW Nexperia 1.6 Ω BSS138PW,115
- MOSFET Typ N-kanałowy 310 mA SC-70 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 260 mW Nexperia 1.6 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 310 mA SC-70 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 260 mW Nexperia 1.6 Ω 2N7002PW,115
- MOSFET 2 Typ N-kanałowy 320 mA SC-88 60 V Powierzchnia Rozszerzenie Izolowany 6-pinowy 320 mW 1.6 Ω Nexperia
- MOSFET Typ N-kanałowy 310 mA SC-70 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 330 mW Nexperia 2 Ω
- MOSFET Typ P-kanałowy 150 mA SC-70 50 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 310 mW Nexperia 7.5 Ω