MOSFET P-kanałowy 150 mA SOT-323 50 V SMD Pojedynczy 310 mW 7,5 oma
- Nr art. RS:
- 792-0910
- Nr części producenta:
- BSS84AKW,115
- Producent:
- Nexperia
900 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
600 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (100 na rolce)
0,54 zł
(bez VAT)
0,66 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 100 - 200 | 0,54 zł | 53,60 zł |
| 300 - 500 | 0,52 zł | 51,60 zł |
| 600 - 1100 | 0,39 zł | 39,10 zł |
| 1200 - 2300 | 0,30 zł | 29,50 zł |
| 2400 + | 0,28 zł | 27,70 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 792-0910
- Nr części producenta:
- BSS84AKW,115
- Producent:
- Nexperia
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET P-Nexperia
.
Tranzystory MOSFET, półprzewodniki NXP
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 150 mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 50 V |
| Typ opakowania | SOT-323 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 7,5 oma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.1V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.1V |
| Maksymalna strata mocy | 310 mW |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 0,26 nC przy 5 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 1.35mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 2.2mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 1mm |
- Nr art. RS:
- 792-0910
- Nr części producenta:
- BSS84AKW,115
- Producent:
- Nexperia