MOSFET N-kanałowy 320 mA SOT-323 60 V SMD Pojedynczy 310 mW 1,6 oma
- Nr art. RS:
- 166-0052
- Nr części producenta:
- BSS138PW,115
- Producent:
- Nexperia
Suma częściowa (1 rolka po 3000 sztuk/i)*
354,00 zł
(bez VAT)
435,00 zł
(z VAT)
Informacje o zapasach są obecnie niedostępne
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,118 zł | 354,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 166-0052
- Nr części producenta:
- BSS138PW,115
- Producent:
- Nexperia
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Nexperia | |
| Typ kanału | N | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 320 mA | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V | |
| Typ opakowania | SOT-323 | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 1,6 oma | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 1.5V | |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 0.9V | |
| Maksymalna strata mocy | 310 mW | |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V | |
| Szerokość | 1.35mm | |
| Materiał tranzystora | Si | |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C | |
| Długość | 2.2mm | |
| Liczba elementów na układ | 1 | |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 0,72 nC przy 4,5 V | |
| Wysokość | 1mm | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Nexperia | ||
Typ kanału N | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu 320 mA | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło 60 V | ||
Typ opakowania SOT-323 | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło 1,6 oma | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Maksymalne napięcie progowe VGS 1.5V | ||
Minimalne napięcie progowe VGS 0.9V | ||
Maksymalna strata mocy 310 mW | ||
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V | ||
Szerokość 1.35mm | ||
Materiał tranzystora Si | ||
Maksymalna temperatura robocza +150°C | ||
Długość 2.2mm | ||
Liczba elementów na układ 1 | ||
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 0,72 nC przy 4,5 V | ||
Wysokość 1mm | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
- Kraj pochodzenia:
- MY
MOSFET N-Channel, od 60 V do 80 V, Nexperia
.
Tranzystory MOSFET, półprzewodniki NXP
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 320 mA SOT-323 60 V SMD Pojedynczy 310 mW 1,6 oma
- MOSFET N-kanałowy 310 mA SOT-323 60 V SMD Pojedynczy 260 mW 1,6 oma
- MOSFET N-kanałowy 320 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 310 mW 1,6 oma
- MOSFET N-kanałowy 320 mA SOT-363 60 V SMD Izolacja 320 mW 1,6 oma
- MOSFET P-kanałowy 150 mA SOT-323 50 V SMD Pojedynczy 310 mW 7,5 oma
- MOSFET P-kanałowy 310 mA SOT-323 20 V SMD Pojedynczy 250 mW 2,1 oma
- MOSFET P-kanałowy 820 mA SOT-323 20 V SMD Pojedynczy 310 mW 1,5 oma
- MOSFET N-kanałowy 310 mA SOT-323 60 V SMD Pojedynczy 330 mW 2 omy