MOSFET Typ N-kanałowy 300 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 740 mW Microchip 5 Ω
- Nr art. RS:
- 177-9692
- Nr części producenta:
- TN2106N3-G
- Producent:
- Microchip
Suma częściowa (1 opakowanie po 1000 sztuk/i)*
2 052,00 zł
(bez VAT)
2 524,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 1000 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,052 zł | 2 052,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 177-9692
- Nr części producenta:
- TN2106N3-G
- Producent:
- Microchip
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Microchip | |
| Typ kanału | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 300mA | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 60V | |
| Typ obudowy | TO-92 | |
| Seria | TN2106 | |
| Typ montażu | Otwór przelotowy | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 5Ω | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 1.8V | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 740mW | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | 20 V | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Wysokość | 5.33mm | |
| Długość | 5.08mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Szerokość | 4.06 mm | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Microchip | ||
Typ kanału Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 300mA | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 60V | ||
Typ obudowy TO-92 | ||
Seria TN2106 | ||
Typ montażu Otwór przelotowy | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 5Ω | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Napięcie przewodzenia Vf 1.8V | ||
Maksymalna strata mocy Pd 740mW | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs 20 V | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Wysokość 5.33mm | ||
Długość 5.08mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Szerokość 4.06 mm | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
- Kraj pochodzenia:
- TW
W tym tranzystorze trybu wzmocnienia (normalnie wyłączonym) o niskiej wartości progowej zastosowano pionową strukturę DMOS oraz sprawdzony proces produkcji bramek krzemowych. Ta kombinacja daje urządzenie o możliwościach tranzystorów bipolarnych oraz o wysokiej impedancji wejściowej i dodatnim współczynniku temperatury charakterystycznym dla układów MOS. Podobnie jak wszystkie konstrukcje MOS, urządzenie jest pozbawione strat termicznych oraz przebicia wtórnego wywołanego temperaturą. Pionowe układy FET DMOS są idealnie dostosowane do szerokiego zakresu zastosowań przy przełączaniu i wzmacnianiu, gdzie ważnymi parametrami są bardzo niskie napięcie progowe, wysokie napięcie przebicia, wysoka impedancja wejściowa, niska pojemność wejściowa oraz szybkie przełączanie.
Bez wtórnego przebicia
Niewielkie wymagania dotyczące sterowania zasilaniem
Łatwe łączenie równoległe
Niska wartość CISS i wysokie prędkości przełączania
Doskonała stabilność termiczna
Zintegrowana dioda źródło-dren
Wysoka impedancja wejściowa i wysokie wzmocnienie
Powiązane linki
- MOSFET Typ N-kanałowy 300 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 740 mW Microchip 5 Ω TN2106N3-G
- MOSFET Typ P-kanałowy 175 mA TO-92 40 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 740 mW Microchip 10 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 170 mA TO-92 300 V Wyczerpanie 3-pinowy Otwór przelotowy 740 mW Microchip 12 Ω
- MOSFET Typ P-kanałowy 175 mA TO-92 40 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 740 mW Microchip 10 Ω TP2104N3-G
- MOSFET Typ N-kanałowy 170 mA TO-92 300 V Wyczerpanie 3-pinowy Otwór przelotowy 740 mW Microchip 12 Ω DN2530N3-G
- MOSFET Typ N-kanałowy 130 mA TO-92 450 V Wyczerpanie 3-pinowy Otwór przelotowy 740 mW Microchip 20 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 30 mA TO-92 500 V Wyczerpanie 3-pinowy Otwór przelotowy 740 mW Microchip 1 kΩ
- MOSFET Typ N-kanałowy 130 mA TO-92 450 V Wyczerpanie 3-pinowy Otwór przelotowy 740 mW Microchip 20 Ω DN3545N3-G