MOSFET N-kanałowy 2,9 A DPAK (TO-252) 800 V SMD Pojedynczy 62,5 W 2.9 Ω
- Nr art. RS:
- 188-4982
- Nr części producenta:
- SIHD2N80AE-GE3
- Producent:
- Vishay
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Cena netto za szt. (opak. á 10)
3,13 zł
(bez VAT)
3,85 zł
(z VAT)
1 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*
* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.
Wysyłka standardowa
Produkty | Za jednostkę | Za opakowanie** |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 3,13 zł | 31,28 zł |
| 100 - 240 | 2,82 zł | 28,17 zł |
| 250 - 490 | 2,66 zł | 26,57 zł |
| 500 - 990 | 2,04 zł | 20,35 zł |
| 1000 + | 1,75 zł | 17,50 zł |
**cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 188-4982
- Nr części producenta:
- SIHD2N80AE-GE3
- Producent:
- Vishay
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 25 W 2.9 Ω
- MOSFET N-kanałowy 40 A PowerPAK SO-8 30 V SMD Pojedynczy 625 milioma
- MOSFET N-kanałowy 45 W 1,44 oma
- MOSFET N-kanałowy 24 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 62,5 W 45 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 155 W 90 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 67 A LFPAK5 W 8 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 8 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 0.391 Ω
- MOSFET N-kanałowy 1 A DPAK (TO-252) 800 V SMD Pojedynczy 2,5 W 20 Ω