MOSFET N-kanałowy 10,9 A PQFN 3 x 3 250 V SMD 0.165 O.
- Nr art. RS:
- 214-8988
- Nr części producenta:
- BSZ16DN25NS3GATMA1
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Cena netto za szt. (opak. á 10)
7,41 zł
(bez VAT)
9,12 zł
(z VAT)
100 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*
* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.
BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł
Wysyłka standardowa
Produkty | Za jednostkę | Za opakowanie** |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 7,41 zł | 74,12 zł |
| 50 - 90 | 7,04 zł | 70,43 zł |
| 100 - 240 | 6,75 zł | 67,46 zł |
| 250 - 490 | 6,45 zł | 64,49 zł |
| 500 + | 6,00 zł | 60,03 zł |
**cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 214-8988
- Nr części producenta:
- BSZ16DN25NS3GATMA1
- Producent:
- Infineon
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 10,9 A PQFN 3 x 3 250 V SMD 0.165 O.
- MOSFET N-kanałowy 58 A PQFN 3 x 3 100 V SMD 0.0115 O, 0.0155 O.
- MOSFET N-kanałowy 86 A PQFN 3 x 3 60 V SMD 0.0045 O, 0.0056 O.
- MOSFET N-kanałowy 37 A PQFN 3 x 3 100 V SMD 0.0169 O, 0.0219 O.
- MOSFET N-kanałowy 56 A PQFN 3 x 3 60 V SMD 0.0073 O, 0.0092 O.
- MOSFET N-kanałowy 64 A PQFN 3 x 3 80 V SMD 0.0078 O, 0.0099 O.
- MOSFET P-kanałowy 39,6 A PQFN 3 x 3 30 V SMD 0.018 O.
- Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 12 A PQFN 3 x 3 30 V SMD 0.0124 O.