- Nr art. RS:
- 823-2915
- Nr części producenta:
- DMG6601LVT-7
- Producent:
- DiodesZetex
Przepraszamy, nie mogliśmy chwilowo sprawdzić stanów magazynowych. Prosimy odświeżyć stronę.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 50)
1,58 zł
(bez VAT)
1,94 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
50 - 550 | 1,58 zł | 78,95 zł |
600 - 1450 | 0,69 zł | 34,35 zł |
1500 + | 0,55 zł | 27,40 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 823-2915
- Nr części producenta:
- DMG6601LVT-7
- Producent:
- DiodesZetex
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Podwójny MOSFET N/P-Channel, Diodes Inc.
.
Tranzystory MOSFET, Diody Inc.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N, P |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 2 A; 4,5 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
Typ opakowania | TSOT-26 |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Liczba styków | 6 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 85 mΩ, 190 mΩ |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Maksymalne napięcie progowe VGS | 3V |
Maksymalna strata mocy | 1,3 W |
Konfiguracja tranzystora | Izolacja |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -12 V, +12 V |
Liczba elementów na układ | 2 |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 12,3 nC przy 10 V, 13,8 nC przy 10 V |
Szerokość | 1.6mm |
Materiał tranzystora | Si |
Długość | 2.9mm |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
Wysokość | 0.9mm |
- Nr art. RS:
- 823-2915
- Nr części producenta:
- DMG6601LVT-7
- Producent:
- DiodesZetex