Płytka ewaluacyjna Infineon Sterownik bramki IGBT Płytka ewaluacyjna REF-SIC-D2PAK-BP / EVAL-1ED020I12F2-DB

Nr art. RS:: 238-7883
Nr części producenta:: EVALPSDPMAINTOBO1
Producent:: Infineon

Płytka ewaluacyjna Infineon Sterownik bramki IGBT Płytka ewaluacyjna REF-SIC-D2PAK-BP / EVAL-1ED020I12F2-DB

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Cena netto za szt.**

1 495,58 zł

(bez VAT)

1 839,56 zł

(z VAT)

Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny*

* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.

BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł

Produkty	Za jednostkę
1 - 1	1 495,58 zł
2 - 4	1 422,77 zł
5 +	1 387,17 zł

**cena orientacyjna

Nr art. RS:: 238-7883
Nr części producenta:: EVALPSDPMAINTOBO1
Producent:: Infineon

Datasheet - EVALPSDPMAINTOBO1

Uniwersalny dyskretny półprzewodnik mocy 600 V - 1200 V w 3-/4-pinowej platformie ewaluacyjnej TO-247

Uniwersalna platforma ewaluacyjna zawierająca układ scalony sterownika bramek EiceDRIVER™ została opracowana w celu zaprezentowania możliwości sterowania dyskretnymi półprzewodnikami mocy w 3- i 4-pinowych obudowach TO247. Aby pokazać te opcje, projekt został podzielony na tę płytę główną i obecnie dwie karty pamięci. Podejście modułowe zostało wybrane, aby umożliwić rozszerzenie platformy o nowe karty napędowe w przyszłości. Pierwsza karta napędowa (REF-1EDC20I12MHDPV2 (wkrótce)) zawiera EiceDRIVER™ 1EDC Compact 1EDC20I12MH ze zintegrowanym aktywnym zaciskiem Millera zapobiegającym pasożytniczemu włączeniu. Druga karta napędowa (REF-1EDC60H12AHDPV2 (wkrótce)) zawiera EiceDRIVER™ 1EDC Compact 1EDC60H12AH umożliwiający zasilanie bipolarne, gdzie VCC2 wynosi +15 V, a GND2 jest ujemne. Płyta główna została zaprojektowana dla maksymalnego napięcia 800 V i maksymalnego prądu impulsowego 130 A.

Podsumowanie funkcji

Napięcie zasilania bramki VCC2 od -5 V do +20

VNapięcie zasilania

VCC1

ustalone na +5

VPodłączenie

bramki

za pomocą złącza

SMA-BNCPomiar

prądu

za pomocą opcjonalnego bocznika koncentrycznegoZoptymalizowana

pętla

komutacjiPodłączenie cewki obciążenia

zewnętrznegoKonstrukcja
radiatora

umożliwia testowanie w różnych temperaturach

Korzyści

Klient może wykorzystać układ karty jako punkt odniesienia dla własnych

porównanie wszystkich 3-pinowych i 4-pinowych pakietów TO-247 (niezależnie od technologii materiału bazowego lub producenta

Modułowe podejście do płyty głównej umożliwia przyszłe rozszerzenia platformy

Zastosowania : Ogólne testy inżynieryjne
Typ płytki : Płyta ewaluacyjna
Wymiary : 180x100x60 mm
Rodzina : IGBT Discrete ; CoolSiC™ MOSFET
Typ wejścia : DC
Opis produktu: Główna platforma ewaluacyjna zawierająca układ scalony sterownika bramek EiceDRIVER™ została opracowana w celu zaprezentowania możliwości sterowania dyskretnymi półprzewodnikami mocy Infineon w konfiguracjach 3- i 4-pinowych.
Nazwa produktu: EVAL_PS_DP_MAIN
Topologia: półmostek

Atrybut	Parametr
Funkcja zarządzania mocą	Sterownik bramki IGBT
Do użytku z	REF-SIC-D2PAK-BP / EVAL-1ED020I12F2-DB
Rodzaj zestawu	Płytka ewaluacyjna
Symbol układu	1ED60H12AH, 1EDC20I12MH, EiceDRIVER
Nazwa zestawu	EVAL_PS_DP_MAIN

Płytka ewaluacyjna Infineon Sterownik bramki IGBT Płytka ewaluacyjna REF-SIC-D2PAK-BP / EVAL-1ED020I12F2-DB

BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł

Uniwersalny dyskretny półprzewodnik mocy 600 V - 1200 V w 3-/4-pinowej platformie ewaluacyjnej TO-247

Podsumowanie funkcji

Korzyści

.

Powiązane linki