Sterownik bramki MOSFET 8-pinowy 6,5 A SOIC NCD57091BDWR2G 22V

Sterownik BRAMKI ON Semiconductor jest izolowanymi dwukanałowymi sterownikami bramek z odpowiednio źródłem 4.5 A/9 A i zlewu prądu Peak. Są one przeznaczone do szybkiego przełączania w celu zasilania tranzystorów MOSFET oraz wyłączników SiC MOSFET. NCP51561 oferuje krótkie i dopasowane opóźnienia rozmnażania. Dwie niezależne i wewnętrzne separatory galwaniczne 5 kVrms od wejścia do każdego wyjścia oraz wewnętrzna izolacja funkcyjna pomiędzy dwoma sterownikami wyjściowymi umożliwiają napięcie robocze do 1500 VDC. Ten sterownik może być używany w każdej możliwej konfiguracji dwóch przełączników strony niskiej, dwóch przełączników strony wysokiej lub sterownika półmostka z programowanym czasem nieczułości. Styk ENA/DIS wyłącza oba wyjścia jednocześnie, gdy jest ustawiony niski lub wysoki odpowiednio dla TRYBU WŁĄCZENIA lub WYŁĄCZENIA. Urządzenie NCP51561 oferuje inne ważne funkcje zabezpieczające, takie jak niezależna blokada podnapięcia dla kierowców bramek i funkcja regulacji czasu nieczułości.

4.5 A Źródło Peak, możliwość poboru prądu przez atrament Peak 9 A
Elastyczne: Podwójny sterownik bramki niskiego zakresu, podwójnej strony wysokiej lub półmostka
Niezależne zabezpieczenia UVLO dla obu sterowników wyjścia
Napięcie wyjściowe zasilania od 6.5 V do 30 V z 5 V i 8 V dla MOSFET, 13 V i 17 V UVLO dla SiC, progi.
Odporność na stany nieustalony w trybie wspólnym CMTI > 200 V/ns
Opóźnienie rozmnażania typowo 36 ns z dopasowaniem maks. Opóźnienia 5 ns na kanał i 5 ns maks. Zniekształcenia szerokości impulsu
Programowane przez użytkownika tryby pojedynczego lub podwójnego wejścia układów logicznych wejść za pomocą funkcji ANB oraz TRYB WŁĄCZENIA lub WYŁĄCZENIA
Czas nieczułości programowany przez użytkownika