Moduł IGBT Ic 900 A Uce 1200 V PrimePACK2 Szereg kanał: N 510 kW
- Nr art. RS:
- 165-6609
- Nr części producenta:
- FF900R12IE4BOSA1
- Producent:
- Infineon
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 30.07.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto szt. (na tacce 3)
1 962,62 zł
(bez VAT)
2 414,02 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tray* |
| 3 + | 1 962,62 zł | 5 887,85 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 165-6609
- Nr części producenta:
- FF900R12IE4BOSA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- DE
Szczegółowe dane produktu
Moduły IGBT, Infineon
Oferta modułów Infineon firmy IGBT zapewnia niską utratę przełączania przy przełączaniu do 60 kHz.
IGBT obejmuje szereg modułów mocy, takich jak pakiety EKONOMICZNE z napięciem emitującym w kolektorze przy napięciu 1200 V, moduły rozdrabniacza półmostkowego PrimePACK IGBT z CTN do 1600/1700V. System PrimePACK IGBT można znaleźć w pojazdach przemysłowych, handlowych, budowlanych i rolniczych. Moduły N-Channel TRENCHSTOP TM i Fieldstop IGBT nadają się do pracy z przełączaniem na twardo i miękkimi przełącznikami, takimi jak przemienniki, zasilacze UPS i napędy przemysłowe.
IGBT obejmuje szereg modułów mocy, takich jak pakiety EKONOMICZNE z napięciem emitującym w kolektorze przy napięciu 1200 V, moduły rozdrabniacza półmostkowego PrimePACK IGBT z CTN do 1600/1700V. System PrimePACK IGBT można znaleźć w pojazdach przemysłowych, handlowych, budowlanych i rolniczych. Moduły N-Channel TRENCHSTOP TM i Fieldstop IGBT nadają się do pracy z przełączaniem na twardo i miękkimi przełącznikami, takimi jak przemienniki, zasilacze UPS i napędy przemysłowe.
W skład zestawu wchodzą: Moduły 62 mm, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4
.
Moduł IDBT - moduł Infineon
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 900 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 510 kW |
| Konfiguracja | Seria |
| Typ opakowania | PrimePACK2 |
| Typ montażu | Montaż na śrubie |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 10 |
| Konfiguracja tranzystora | Szereg |
| Wymiary | 172 x 89 x 38mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C |