Moduł IGBT Ic 314 A Uce 1200 V SEMITRANS3 Szereg kanał: N
- Nr art. RS:
- 687-4973
- Nr części producenta:
- SKM200GB12E4
- Producent:
- Semikron Danfoss
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 sztuka)*
1 115,00 zł
(bez VAT)
1 371,45 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 11 maja 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 - 1 | 1 115,00 zł |
| 2 - 4 | 1 059,30 zł |
| 5 - 9 | 925,47 zł |
| 10 - 19 | 827,33 zł |
| 20 + | 786,11 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 687-4973
- Nr części producenta:
- SKM200GB12E4
- Producent:
- Semikron Danfoss
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Semikron Danfoss | |
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 314 A | |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V | |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V | |
| Konfiguracja | Podwójny półmostek | |
| Typ opakowania | SEMITRANS3 | |
| Typ montażu | Montaż na panelu | |
| Typ kanału | N | |
| Liczba styków | 7 | |
| Konfiguracja tranzystora | Szereg | |
| Wymiary | 106.4 x 61.4 x 30mm | |
| Minimalna temperatura robocza | -40 °C | |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Semikron Danfoss | ||
Maksymalny ciągły prąd kolektora 314 A | ||
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 1200 V | ||
Maksymalne napięcie bramka-emiter ±20V | ||
Konfiguracja Podwójny półmostek | ||
Typ opakowania SEMITRANS3 | ||
Typ montażu Montaż na panelu | ||
Typ kanału N | ||
Liczba styków 7 | ||
Konfiguracja tranzystora Szereg | ||
Wymiary 106.4 x 61.4 x 30mm | ||
Minimalna temperatura robocza -40 °C | ||
Maksymalna temperatura robocza +175 °C | ||
Dwa moduły IGBT
Seria modułów SEMITOP® IGBT firmy Semikron, zawierająca dwa połączone szeregowo (półmostek) urządzenia IGBT. Moduły są dostępne w szerokim zakresie napięć i prądów znamionowych i są odpowiednie do różnych zastosowań przełączania zasilania, takich jak napędy silników przemienników prądu przemiennego i zasilacze bezprzerwowe.
Kompaktowy zestaw SEMITOP®
Nadaje się do przełączania częstotliwości do 12 kHz
Izolowana miedziana płytka podstawowa oparta na technologii Direct Bond Copper
Nadaje się do przełączania częstotliwości do 12 kHz
Izolowana miedziana płytka podstawowa oparta na technologii Direct Bond Copper
.
Moduły IGBT, Semikron
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Powiązane linki
- Moduł IGBT Ic 260 A Uce 1200 V SEMITRANS3 Szereg kanał: N
- Moduł IGBT Ic 300 A Uce 1200 V SEMITRANS3 Szereg kanał: N
- Moduł IGBT Ic 200 A Uce 1200 V SEMITRANS3 Szereg kanał: N
- Moduł IGBT Ic 470 A Uce 1200 V SEMITRANS3 Szereg kanał: N
- Moduł IGBT SKM300GB126D Uce 1200 V kanał typu:N, SEMITRANS3 Szereg
- Moduł IGBT Ic 430 A Uce 1700 V SEMITRANS3 Szereg kanał: N
- Moduł IGBT Ic 500 A Uce 600 V SEMITRANS3 Szereg kanał: N
- Moduł IGBT Ic 260 A Uce 1700 V SEMITRANS3 Szereg kanał: N
