MOSFET N-kanałowy 9 A TO-3PN 900 V Pojedynczy 150 W 1.3 Ω

Nr art. RS:: 415-354P
Nr części producenta:: 2SK3878(F)
Producent:: Toshiba

MOSFET N-kanałowy 9 A TO-3PN 900 V Pojedynczy 150 W 1.3 Ω

Produkt wycofany

Nr art. RS:: 415-354P
Nr części producenta:: 2SK3878(F)
Producent:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	9 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	900 V
Seria	2SK
Typ opakowania	TO-3PN
Typ montażu	Otwór przezierny
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	1.3 Ω
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	4V
Maksymalna strata mocy	150 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-30 V, +30 V
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Liczba elementów na układ	1
Szerokość	4.8mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	60 nC przy 10 V
Materiał tranzystora	Si
Długość	15.9mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Wysokość	19mm

MOSFET N-kanałowy 9 A TO-3PN 900 V Pojedynczy 150 W 1.3 Ω

MOSFET N-Channel, seria 2SK Toshiba

.