MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220 FP 650 V Pojedynczy 33 W 380 miliomów

Nr art. RS:: 752-8467
Nr części producenta:: SPA11N60C3XKSA1
Producent:: Infineon

MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220 FP 650 V Pojedynczy 33 W 380 miliomów

18 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.

Cena netto za szt. (opak. á 2)

13,37 zł

(bez VAT)

16,44 zł

(z VAT)

Produkty	Za jednostkę	Za opakowanie*
2 - 18	13,37 zł	26,73 zł
20 - 48	11,91 zł	23,81 zł
50 - 98	11,10 zł	22,19 zł
100 - 198	10,42 zł	20,84 zł
200 +	9,63 zł	19,26 zł

*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 752-8467
Nr części producenta:: SPA11N60C3XKSA1
Producent:: Infineon

SPP11N60C3, SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185, CoolMOS Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	11 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	650 V
Typ opakowania	TO-220 FP
Seria	CoolMOS™ C3
Typ montażu	Otwór przezierny
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	380 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	3.9V
Minimalne napięcie progowe VGS	2.1V
Maksymalna strata mocy	33 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	45 nC przy 10 V
Liczba elementów na układ	1
Maksymalna temperatura robocza	+150 °C
Długość	10.65mm
Szerokość	4.85mm
Materiał tranzystora	Si
Wysokość	9.83mm
Minimalna temperatura robocza	-55 °C

MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220 FP 650 V Pojedynczy 33 W 380 miliomów

Infineon CoolMOS™ C3 Moc

.