MOSFET P-kanałowy 11 A DPAK (TO-252) 55 V SMD Pojedynczy 38 W 175 miliomów

Nr art. RS:: 827-4088P
Nr części producenta:: IRFR9024NTRPBF
Producent:: Infineon

MOSFET P-kanałowy 11 A DPAK (TO-252) 55 V SMD Pojedynczy 38 W 175 miliomów

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Cena netto szt. (na rolce)**. Ilości poniżej 150 sztuk dostarczane są na taśmie

3,43 zł

(bez VAT)

4,22 zł

(z VAT)

11480 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*

* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.

BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł

Wysyłka standardowa

Produkty	Za jednostkę
100 - 180	2,68 zł
200 - 480	2,51 zł
500 - 980	2,33 zł
1000 +	2,17 zł

**cena orientacyjna

Nr art. RS:: 827-4088P
Nr części producenta:: IRFR9024NTRPBF
Producent:: Infineon

Wzmacniacz P-Channel Power MOSFET o napięciu od 40 V do 55 V, Infineon

Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia P-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.

Tranzystor MOSFET z serii HEXFET firmy Infineon, maksymalny ciągły prąd drenu 11 A, maksymalne rozproszenie mocy 38 W - IRFR9024NTRPBF

Ten MOSFET z kanałem typu P, wykorzystujący technologię HEXFET, zapewnia wydajną pracę w wielu zastosowaniach elektronicznych. Jego solidne atrybuty sprawiają, że jest to kluczowy komponent dla użytkowników w automatyce, elektronice, a także w sektorach elektrycznym i mechanicznym. Produkt doskonale radzi sobie z zarządzaniem obciążeniami wysokoprądowymi, zapewniając jednocześnie skuteczną kontrolę w obwodach zasilania.

Cechy i zalety

• Maksymalny ciągły prąd drenu wynoszący 11 A ułatwia wysokowydajne zastosowania
• Wytrzymuje napięcie dren-źródło do 55 V, co zwiększa niezawodność
• Niski współczynnik RDS(on) wynoszący 175 mΩ minimalizuje straty mocy podczas pracy
• Konstrukcja trybu rozszerzonego optymalizuje wydajność dla różnych zastosowań
• Pakiet DPAK TO-252 do montażu powierzchniowego upraszcza integrację i montaż PCB

Zastosowania

• Efektywne zarządzanie energią w obwodach zasilania
• Nadaje się do sterowania silnikiem wymagające wysokiego natężenia prądu
• Wykorzystywane w przetwornicach DC-DC w celu poprawy wydajności
• Idealny do przełączania obciążeń ze względu na szybki czas reakcji
• Stosowane w systemach automatyki przemysłowej w celu zwiększenia niezawodności

Jakie jest maksymalne rozproszenie mocy tego komponentu?

Jego maksymalna moc rozpraszania wynosi 38 W.

Jak produkt radzi sobie z napięciami bramki?

Bramka może obsługiwać napięcia w zakresie od -20 V do +20 V, zapewniając elastyczność projektowania.

Jaka jest wydajność termiczna urządzenia?

Działa bezpiecznie w maksymalnej temperaturze 150 °C, zapewniając niezawodność w różnych środowiskach.

Czy łatwo go zamontować na płytce drukowanej?

Tak, obudowa DPAK TO-252 umożliwia prosty montaż powierzchniowy na płytkach drukowanych.

Jak ten tranzystor MOSFET działa w różnych temperaturach?

Pozostaje funkcjonalny w szerokim zakresie temperatur od -55 °C do +150 °C, zaspokajając różnorodne potrzeby aplikacji.

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Atrybut	Parametr
Typ kanału	P
Maksymalny ciągły prąd drenu	11 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	55 V
Typ opakowania	DPAK (TO-252)
Seria	HEXFET
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	175 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	4V
Minimalne napięcie progowe VGS	2V
Maksymalna strata mocy	38 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	19 nC przy 10 V
Długość	6.73mm
Szerokość	6.22mm
Materiał tranzystora	Si
Liczba elementów na układ	1
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Wysokość	2.39mm
Napięcie przewodzenia diody	1.6V