MOSFET P-kanałowy 120 A TO-220 40 V Pojedynczy 136 W 5,2 milioma
- Nr art. RS:
- 857-6883
- Nr części producenta:
- IPP120P04P4L03AKSA1
- Producent:
- Infineon
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Cena netto za szt. (w tubie á 500)
9,50 zł
(bez VAT)
11,68 zł
(z VAT)
Produkty | Za jednostkę | Per Tube* |
|---|---|---|
| 500 + | 9,50 zł | 4 750,00 zł |
*cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 857-6883
- Nr części producenta:
- IPP120P04P4L03AKSA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Infineon tranzystory zasilające MOSFET z kanałem zasilania OptiMOS™P
Infineon OptiMOS ™ P-Channel tranzystory zasilające MOSF Funkcje te obejmują bardzo niską utratę przełączania, odporność na zmiany stanu, oceny w firmie Lawianche oraz zastosowanie automatycznej kontroli prześwietlenia (AEC) dla rozwiązań samochodowych. Zastosowania obejmują DC-dc, sterowanie silnikami, motoryzację i eMobility.
Tryb rozszerzenia
Tryb lawinowy
Niskie straty mocy przełączania i przewodnictwa
Bezołowiowe platerowanie; zgodne z dyrektywą RoHS
Opakowania standardowe
Seria P-Channel OptiMOS™: Zakres temperatur od -55°C do +175°C.
Tryb lawinowy
Niskie straty mocy przełączania i przewodnictwa
Bezołowiowe platerowanie; zgodne z dyrektywą RoHS
Opakowania standardowe
Seria P-Channel OptiMOS™: Zakres temperatur od -55°C do +175°C.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 120 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 40 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Seria | OptiMOS P |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 5,2 milioma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.2V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.2V |
| Maksymalna strata mocy | 136 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -16 V, +16 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 4.4mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 180 nC przy 10 V |
| Długość | 10mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 15.65mm |