MOSFET P-kanałowy 4,3 A SOT-23 12 V SMD Pojedynczy 1,3 W 50 mΩ

Nr art. RS:: 919-4713
Nr części producenta:: IRLML6401TRPBF
Producent:: Infineon

MOSFET P-kanałowy 4,3 A SOT-23 12 V SMD Pojedynczy 1,3 W 50 mΩ

Suma częściowa (1 rolka po 3000 sztuk/i)**

630,00 zł

(bez VAT)

780,00 zł

(z VAT)

249000 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*

* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.

BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł

Sprawdź dostępność

Wysyłka standardowa

Produkty	Za jednostkę	Na Rolki**
3000 +	0,21 zł	639,00 zł

**cena orientacyjna

Porównaj

Nr art. RS:: 919-4713
Nr części producenta:: IRLML6401TRPBF
Producent:: Infineon

Tranzystor MOSFET z serii HEXFET firmy Infineon, maksymalny ciągły prąd drenu 4,3 A, maksymalne rozproszenie mocy 1,3 W - IRLML6401TRPBF

Ten tranzystor MOSFET z kanałem typu P został zaprojektowany z myślą o wydajności, dzięki czemu nadaje się do zastosowań wymagających efektywnego zarządzania energią. Wykorzystując technologię HEXFET, zapewnia niską rezystancję włączenia, co skutkuje zmniejszoną utratą mocy podczas pracy. Wytrzymała konstrukcja pozwala mu wytrzymać wysokie temperatury, dzięki czemu nadaje się do środowisk, w których wydajność jest niezbędna.

Cechy i zalety

• Zaawansowane przetwarzanie zapewniające bardzo niską rezystancję włączenia
• Maksymalne napięcie źródła drenu 12V
• Ciągły prąd drenu 4,3 A
• Tolerancja temperatury złącza do 150°C
• Zoptymalizowany pod kątem szybkiego przełączania aplikacji, zwiększający wydajność
• Kompaktowa obudowa SOT-23 dla projektów obwodów zajmujących mało miejsca

Zastosowania

• Akumulatory i systemy zarządzania obciążeniem
• Przenośna elektronika, gdzie wymagane są niskoprofilowe komponenty
• Rozwiązania zarządzania energią w kartach PCMCIA
• Systemy automatyki wymagające niezawodnego przełączania
• Układy elektroniczne wymagające kompaktowej konstrukcji do montażu powierzchniowego

Jaki jest wpływ wyższych temperatur na wydajność?

Wyższe temperatury mogą zwiększyć rezystancję włączenia, potencjalnie zmniejszając wydajność. Urządzenie działa bezpiecznie w temperaturze do 150°C, zachowując funkcjonalność w trudnych warunkach.

Jak napięcie progowe bramki wpływa na działanie?

Napięcie progowe bramki, między 0,4 V a 0,95 V, wskazuje minimalne napięcie niezbędne do aktywacji urządzenia. Pozostawanie w tym zakresie zapewnia skuteczne przełączanie obciążenia.

Czy ten produkt nadaje się do zastosowań wymagających szybkiego przełączania?

Tak, tranzystor MOSFET ułatwia szybkie przejścia między stanami włączenia i wyłączenia, zmniejszając straty energii i zwiększając szybkość reakcji obwodu.

Jakie środki ostrożności należy podjąć podczas instalacji?

Zaleca się stosowanie odpowiedniego radiatora podczas pracy w pobliżu maksymalnego prądu znamionowego, aby zapobiec przegrzaniu. Ze względu na konstrukcję do montażu powierzchniowego zalecane są odpowiednie techniki lutowania.

Czy to urządzenie może być używane w aplikacjach o dużej mocy?

Urządzenie może stale zarządzać prądem 4,3 A

jednak ocena wymagań konkretnej aplikacji w zakresie zasilania i zarządzania temperaturą jest niezbędna dla uzyskania optymalnej wydajności.

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Atrybut	Parametr
Typ kanału	P
Maksymalny ciągły prąd drenu	4,3 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	12 V
Typ opakowania	SOT-23
Seria	HEXFET
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	50 mΩ
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	0.95V
Minimalne napięcie progowe VGS	0.4V
Maksymalna strata mocy	1,3 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-8 V, +8 V
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	10 nC przy 5 V
Długość	3.04mm
Materiał tranzystora	Si
Szerokość	1.4mm
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Liczba elementów na układ	1
Wysokość	1.02mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C