Przetwornica wzmacniająca, Uwy 5V Montaż powierzchniowy, Iwy 800 mA, onsemi, NCP1422 5

Suma częściowa (1 rolka po 3000 sztuk/i)*

9 111,00 zł

(bez VAT)

11 208,00 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Informacje o zapasach są obecnie niedostępne - Sprawdź ponownie później
Produkty
Za jednostkę
Na Rolki*
3000 +3,037 zł9 111,00 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
161-2614
Nr części producenta:
NCP1422MNR2G
Producent:
onsemi
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

onsemi

Typ produktu

Przetwornica wzmacniająca

Napięcie wyjściowe 1

5V

Prąd wyjściowy

800mA

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Liczba wyjść

5

Wydajność

94%

Tętnienia i zakłócenia

100mV

Maksymalna temperatura robocza

-40°C

Minimalna temperatura robocza

85°C

Liczba styków

10

Seria

NCP1422

Typ obudowy

DFN

Regulacja liniowa

1 mV/V

Głębokość

1mm

Szerokość

3mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Długość

3mm

Maksymalne napięcie wejściowe

5V

Minimalne napięcie wejściowe

1V

Regulacja obciążenia

1 mV/V

NCP1422 to monolityczny przetwornik mikroenergetyczny o wysokiej częstotliwości z przełącznikiem step-up zaprojektowany specjalnie do przenośnych produktów elektronicznych zasilanych bateryjnie o obciążeniu do 800 mA. Zintegruje Sync-Rect w celu poprawy wydajności i wyeliminowania zewnętrznej diody Schottky'ego. Wysoka częstotliwość przełączania (do 1,2 MHz) umożliwia użycie niskoprofilowego, niewielkiego induktora i kondensatora wyjściowego. Po wyłączeniu urządzenia wewnętrzna ścieżka przewodzenia z LX lub BAT do OUT jest całkowicie zablokowana, a styk OUT jest odizolowany od akumulatora.

Prąd wyjściowy do 800 mA

Wysoka częstotliwość przełączania, do 1,2 MHz

Zabójca pierścieni antyprążkowy do trybu przewodzenia nieciągłego

Niski prąd spoczynkowy 8,5 μA

Gwarantowane uruchamianie bez obciążenia 1,0 V

Napięcie wyjściowe od 1,5 V do 5 V z możliwością regulacji

Granica prądu cyklu po cyklu 1,5 A

Wyłącznik termiczny na chipie z histerezą

Obudowana w oszczędnej przestrzeni i niskoprofilowej obudowie DFN10

Powiązane linki