Czip EEPROM Montaż powierzchniowy 1kbit 2-pinowy XSFN 128 x 8 bitów
- Nr art. RS:
- 171-7740
- Nr części producenta:
- AT21CS11-MSH10-T
- Producent:
- Microchip
Obecnie niedostępne
Przepraszamy, nie mamy informacji, czy ten produkt będzie jeszcze dostępny w magazynie. Zostanie on wkrótce usunięty z oferty RS.
- Nr art. RS:
- 171-7740
- Nr części producenta:
- AT21CS11-MSH10-T
- Producent:
- Microchip
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Microchip | |
| Rozmiar pamięci | 1kbit | |
| Typ złącza | Szeregowy-1 przewód | |
| Typ opakowania | XSFN | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Liczba styków | 2 | |
| Organizacja | 128 x 8 bitów | |
| Minimalne robocze napięcie zasilania | 2,7 V | |
| Maksymalne robocze napięcie zasilania | 4,5 V | |
| Napięcie programowania | 2.7 → 5.5V | |
| Liczba bitów w słowie | 8bit | |
| Wymiary | 5 x 3.5 x 0.35mm | |
| Maksymalna temperatura robocza | +85°C | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Liczba słów | 128 | |
| Przechowywanie danych | 100yr | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Microchip | ||
Rozmiar pamięci 1kbit | ||
Typ złącza Szeregowy-1 przewód | ||
Typ opakowania XSFN | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Liczba styków 2 | ||
Organizacja 128 x 8 bitów | ||
Minimalne robocze napięcie zasilania 2,7 V | ||
Maksymalne robocze napięcie zasilania 4,5 V | ||
Napięcie programowania 2.7 → 5.5V | ||
Liczba bitów w słowie 8bit | ||
Wymiary 5 x 3.5 x 0.35mm | ||
Maksymalna temperatura robocza +85°C | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Liczba słów 128 | ||
Przechowywanie danych 100yr | ||
AT21CS11 to szeregowa pamięć EEPROM 1 Kb firmy Microchip wykorzystujące jednoprzewodową magistralę. Aby uzyskać dostęp do urządzenia, potrzebne są tylko dwa styki: SI/O i GND. Sygnał SI/O to połączenie przewodu danych i zasilania, który doprowadza zasilanie do urządzenia w schemacie pasożytniczym. Urządzenie stanowi jeden blok 128 x 8 i jest zoptymalizowany pod kątem używania w zastosowaniach konsumenckich i przemysłowych, w których niezawodna i nieulotna pamięć masowa ma najwyższe znaczenie.
128 x 8 (1 Kbit)
Zgodność z układem jednoprzewodowym
Struktura protokołu I²C
Komunikacja przez jeden styk we-wy
Tryb wysokiej prędkości (125 kb/s)
Automatyczne cykle kasowania i zapisu (maks. 5 ms)
Niskie zużycie energii
Programowane zabezpieczenie przed zapisem
Cztery niezależne 256-bitowe strefy
Ponad milion cykli kasowania/odczytu
Zgodność z układem jednoprzewodowym
Struktura protokołu I²C
Komunikacja przez jeden styk we-wy
Tryb wysokiej prędkości (125 kb/s)
Automatyczne cykle kasowania i zapisu (maks. 5 ms)
Niskie zużycie energii
Programowane zabezpieczenie przed zapisem
Cztery niezależne 256-bitowe strefy
Ponad milion cykli kasowania/odczytu
.
Powiązane linki
- Pamięć EEPROM Montaż powierzchniowy 1kbit 3-pinowy SOICSOT23 128 x 8 bitów
- Czip EEPROM Montaż powierzchniowy 1kbit 8-pinowy SOIC 128 x 8 bitów
- Pamięć szeregowa EEPROM Montaż powierzchniowy 1kbit 3-pinowy SOT-23-3 128 x 8 bitów
- Czip EEPROM Montaż powierzchniowy 1kbit 8-pinowy SOIC 128 x 8 bitów, 64 x 16 bitów
- Czip EEPROM Montaż powierzchniowy 1kbit 8-pinowy SOIC 128 x 8
- Pamięć EEPROM Montaż powierzchniowy 1kbit 8-pinowy SOIC 128 x 8 bitów
- Czip EEPROM Montaż powierzchniowy 1kbit 8-pinowy SOIC 64K x 16 bitów
- Czip EEPROM Montaż powierzchniowy 2kbit 8-pinowy SOIC 128 x 16 bitów, 256 x 8 bitów
