STMicroelectronics EEPROM Powierzchnia 1 MB 8-pinowy 500 ns TSSOP 128K x 8 bit Szeregowa-I2C

Suma częściowa 5 sztuk/i (dostarczane w postaci ciągłej taśmy)*

29,97 zł

(bez VAT)

36,865 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 6075 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
5 +5,994 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
190-7602P
Nr części producenta:
M24M01-DFDW6TP
Producent:
STMicroelectronics
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

STMicroelectronics

Typ produktu

EEPROM

Rozmiar pamięci

1MB

Typ złącza

Szeregowa-I2C

Typ obudowy

TSSOP

Typ montażu

Powierzchnia

Liczba styków

8

Maksymalna częstotliwość zegara

1MHz

Organizacja

128K x 8 bit

Minimalne napięcie zasilania

1.7V

Liczba bitów w słowie

8

Maksymalne napięcie zasilania

5.5V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Długość

3.1mm

Normy/Zatwierdzenia

RoHS 2011/65/EU

Szerokość

169 mm

Wysokość

1.2mm

Seria

M24M01-DF

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

Prąd zasilania

1.5mA

Liczba słów

128k

Maksymalny czas dostępu swobodnego

500ns

Przechowywanie danych

200year

Kraj pochodzenia:
CN
M24M01 to 1 Mbit zgodny z I2C EEPROM (Electrically Erasable Programmable Memory), zorganizowany jako 128 K x 8 bitów. M24M01-R może działać przy napięciu zasilania od 1,8 V do 5,5 V, a M24M01-DF może działać przy napięciu zasilania od 1,7 V do 5,5 V w zakresie temperatury otoczenia - 40 °C / +85 °C.

Zgodność ze wszystkimi trybami magistrali I2C:

1 MHz

400 kHz

100 kHz

Macierz pamięci:

1 Mbit (128 kilobajtów) pamięci EEPROM

Rozmiar strony: 256 bajtów

Dodatkowa zablokowana strona zapisu

Pojedyncze napięcie zasilania i wysoka prędkość:

Zegar 1 MHz od 1,7 V do 5,5 V.

Napisz:

Bajt zapis w ciągu 5 ms

Zapis strony w ciągu 5 ms

Zakres temperatury pracy:

Od -40 °C do +85 °C.

Tryby odtwarzania losowego i sekwencyjnego

Ochrona przed zapisem całej macierzy pamięci

Ulepszona ochrona przed ESD/podtrzymaniem

Ponad 4 miliony cykli zapisu

Ponad 200 lat przechowywania danych

Opakowania

SO8

TSSOP8

WLCSP

Nieprzepiłowana płytka (każda matryca jest testowana)