Microchip EEPROM AT25010B-SSHL-B Powierzchnia 1 kB 8-pinowy 80 ns SOIC 128 x 8 bit Szeregowa-SPI

Suma częściowa (1 sztuka)*

1,13 zł

(bez VAT)

1,39 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • Dodatkowe 2514 szt. dostępne od 19 stycznia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 +1,13 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
236-8816
Numer artykułu Elfa Distrelec:
303-01-827
Nr części producenta:
AT25010B-SSHL-B
Producent:
Microchip
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Microchip

Rozmiar pamięci

1kB

Typ produktu

EEPROM

Typ złącza

Szeregowa-SPI

Typ obudowy

SOIC

Typ montażu

Powierzchnia

Liczba styków

8

Maksymalna częstotliwość zegara

20MHz

Organizacja

128 x 8 bit

Minimalne napięcie zasilania

1.8V

Maksymalne napięcie zasilania

5.5V

Liczba bitów w słowie

8

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Wysokość

1.5mm

Seria

AT2501

Normy/Zatwierdzenia

RoHS

Liczba słów

128

Przechowywanie danych

100year

Maksymalny czas dostępu swobodnego

80ns

Prąd zasilania

10mA

Norma motoryzacyjna

Nie

Szeregowa pamięć EEPROM Microchip, którą można elektrycznie wymazywać i którą można programować tylko do odczytu (EEPROM), składa się z 128/256/512 słów po 8 bitów każdy. Urządzenie jest zoptymalizowane do użytku w wielu zastosowaniach przemysłowych i komercyjnych, w których kluczowe znaczenie ma praca przy niskim i niskim napięciu zasilania. Urządzenie jest dostępne w paczce SOIC 8-Lead, zajmującym niewiele miejsca. Pakiety pracują w zakresie od 1.8 V do 5.5 V.

Szeregowy interfejs peryferyjny zgodny z SPI

Obsługa trybów SPI 0 (0,0) i 3 (1,1)

Arkusz danych opisuje działanie trybu 0

Praca pod niskim napięciem

Tryb strony 8 bajtów

Zablokuj ochronę przed zapisem

Chroń 1/4, 1/2 lub całą macierz

Ochrona przed zapisem styków WP i instrukcje wyłączania zapisu dla ochrony danych sprzętu i oprogramowania

Cykl zapisu z własnym czasem w ciągu maksymalnie 5 ms

Ochrona ESD > 4,000 V.

Powiązane linki