Fotodioda Si Przewlekany Niski profil UV-100L OSI Optoelectronics

Zobacz wszystkie Fotodiody
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 sztuka)*

796,86 zł

(bez VAT)

980,14 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 3 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 - 4796,86 zł
5 - 9755,46 zł
10 - 24717,98 zł
25 +690,89 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
176-9786
Nr części producenta:
UV-100L
Producent:
OSI Optoelectronics
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

OSI Optoelectronics

Długość fali dla szczytowej czułości

254nm

Typ opakowania

Niski profil

Funkcja wzmacniacza

Nie

Typ montażu

Przewlekany

Liczba styków

3

Materiał diody

Si

Minimalna wykrywana długość fali

UV-100L

Maksymalna wykrywana długość fali

254nm

Długość

24.76mm

Wysokość

4.826mm

Czułość szczytowa

0.14A/W

Średnica

25.4mm

Typowy czas narastania sygnału

5.9ns

Rezystancja bocznika

10000KΩ

Seria

UV

Zwolniony

Kraj pochodzenia:
US
Firma OSI Optoelectronics oferuje dwie różne gamy fotodiod krzemowych o ulepszonej charakterystyce UV. Seria z kanałem inwersyjnym i seria w technologii planarnej dyfuzyjnej. Obie gamy urządzeń są przeznaczone szczególnie do detekcji niskoszumowej w regionie UV widma promieniowania elektromagnetycznego. Fotodiody z warstwą inwersyjną o ulepszonej charakterystyce UV posiadają wewnętrzną wydajność kwantową na poziomie 100% i doskonale nadają się do pomiarów natężenia oświetlenia w niskim zakresie. Posiadają wysoką rezystancję bocznikową, niski poziom szumów i wysokie napięcia przebicia. Jednorodność charakterystyki w całym zakresie wydajności powierzchniowej i kwantowej poprawia się po zastosowaniu polaryzacji zaporowej napięciem 5 do 10 V.

Zastosowania produktu
Monitorowanie zanieczyszczeń
Aparatura medyczna
Światłomierze UV
Spektroskopia
Uzdatnianie wody
Fluorescencja
Cechy produktu
Seria inwersyjna: wewnętrzna wydajność kwantowa (QE) 100%
Bardzo wysoka rezystancja bocznikowa
Znakomita charakterystyka UV

.


Powiązane linki