NVRAM 16kbit Równoległy 8bit STMicroelectronics THT PCDIP
- Nr art. RS:
- 811-1054P
- Nr części producenta:
- M48Z12-150PC1
- Producent:
- STMicroelectronics
Informacje o zapasach są obecnie niedostępne
- Nr art. RS:
- 811-1054P
- Nr części producenta:
- M48Z12-150PC1
- Producent:
- STMicroelectronics
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | STMicroelectronics | |
| Rozmiar pamięci | 16kbit | |
| Organizacja | 2K x 8 | |
| Typ złącza | Równoległy | |
| Szerokość magistrali danych | 8bit | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 5ns | |
| Typ montażu | Otwór przezierny | |
| Typ opakowania | PCDIP | |
| Liczba styków | 24 | |
| Wymiary | 34.8 x 18.34 x 8.89mm | |
| Długość | 34.8mm | |
| Szerokość | 18.34mm | |
| Wysokość | 8.89mm | |
| Maksymalne robocze napięcie zasilania | 5,5 V | |
| Maksymalna temperatura robocza | +70°C | |
| Liczba bitów w słowie | 8bit | |
| Minimalne robocze napięcie zasilania | 4,5 V | |
| Liczba słów | 2K | |
| Minimalna temperatura robocza | 0°C | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka STMicroelectronics | ||
Rozmiar pamięci 16kbit | ||
Organizacja 2K x 8 | ||
Typ złącza Równoległy | ||
Szerokość magistrali danych 8bit | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 5ns | ||
Typ montażu Otwór przezierny | ||
Typ opakowania PCDIP | ||
Liczba styków 24 | ||
Wymiary 34.8 x 18.34 x 8.89mm | ||
Długość 34.8mm | ||
Szerokość 18.34mm | ||
Wysokość 8.89mm | ||
Maksymalne robocze napięcie zasilania 5,5 V | ||
Maksymalna temperatura robocza +70°C | ||
Liczba bitów w słowie 8bit | ||
Minimalne robocze napięcie zasilania 4,5 V | ||
Liczba słów 2K | ||
Minimalna temperatura robocza 0°C | ||
ZEROPOWER® Static RAM, STMicroelectronics
Nieulotna pamięć RAM ZEROPOWER® zawiera moduły pamięci SRAM o niskim poborze mocy z obwodem sterowania awarią zasilania i długim czasem pracy baterii litowej.
.
SRAM (Static Random Access Memory)
