Infineon FRAM 4 kB FM24C04B-G Złącze szeregowe I2C (2-przewodowe) 8-pinowy SOIC
- Nr art. RS:
- 188-5395
- Nr części producenta:
- FM24C04B-G
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 tuba po 97 sztuk/i)*
472,196 zł
(bez VAT)
580,836 zł
(z VAT)
Informacje o zapasach są obecnie niedostępne - Sprawdź ponownie później
Produkty | Za jednostkę | Za Tubę* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | 4,868 zł | 472,20 zł |
| 194 - 485 | 4,74 zł | 459,78 zł |
| 582 - 970 | 4,618 zł | 447,95 zł |
| 1067 + | 4,503 zł | 436,79 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 188-5395
- Nr części producenta:
- FM24C04B-G
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Typ produktu | FRAM | |
| Rozmiar pamięci | 4kB | |
| Organizacja | 512 x 8 bitów | |
| Typ złącza | Złącze szeregowe I2C (2-przewodowe) | |
| Szerokość magistrali danych | 8bit | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 3000ns | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Typ obudowy | SOIC | |
| Liczba styków | 8 | |
| Szerokość | 3.98mm | |
| Długość | 4.97mm | |
| Wysokość | 1.48mm | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q100 | |
| Liczba słów | 512 | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Liczba bitów w słowie | 8 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Typ produktu FRAM | ||
Rozmiar pamięci 4kB | ||
Organizacja 512 x 8 bitów | ||
Typ złącza Złącze szeregowe I2C (2-przewodowe) | ||
Szerokość magistrali danych 8bit | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 3000ns | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Typ obudowy SOIC | ||
Liczba styków 8 | ||
Szerokość 3.98mm | ||
Długość 4.97mm | ||
Wysokość 1.48mm | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q100 | ||
Liczba słów 512 | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Liczba bitów w słowie 8 | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelektryczna pamięć z losowym dostępem (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością wśród nieulotnych pamięci RAM zarówno dla interfejsów szeregowych, jak i równoległych. Części z sufiksem A są przeznaczone do zastosowań motoryzacyjnych i posiadają certyfikat AEC-Q100.
Nieulotna ferroelektryczna pamięć RAM
Szybka prędkość zapisu
Wysoka wytrzymałość
Niskie zużycie energii
FRAM (pamięć RAM żelaznoelektryczna)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) to pamięć nieulotna, która wykorzystuje warstwę ferroelektryczną jako kondensator do przechowywania danych. Pamięć F-RAM charakteryzuje się wysoką szybkością dostępu, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, nieulotnością i doskonałą odpornością na manipulacje. Dlatego jest to idealna pamięć do użytku w kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, a także w telefonach komórkowych i innych urządzeniach.