MOSFET Typ N-kanałowy 87 A SuperSO 150 V N 8-pinowy Powierzchnia 139 W Infineon 9.3 mΩ BSC093N15NS5ATMA1
- Nr art. RS:
- 214-4325
- Nr części producenta:
- BSC093N15NS5ATMA1
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)*
61,85 zł
(bez VAT)
76,10 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- 75 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
- Dodatkowe 7940 szt. dostępne od 06 maja 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 12,37 zł | 61,85 zł |
| 25 - 45 | 11,134 zł | 55,67 zł |
| 50 - 120 | 10,39 zł | 51,95 zł |
| 125 - 245 | 9,648 zł | 48,24 zł |
| 250 + | 9,03 zł | 45,15 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 214-4325
- Nr części producenta:
- BSC093N15NS5ATMA1
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Typ kanału | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 87A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 150V | |
| Typ obudowy | SuperSO | |
| Seria | OptiMOS 5 | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 8 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 9.3mΩ | |
| Tryb kanałowy | N | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 1.2V | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 10nC | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 139W | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Wysokość | 1.2mm | |
| Długość | 5.35mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Typ kanału Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 87A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 150V | ||
Typ obudowy SuperSO | ||
Seria OptiMOS 5 | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 8 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 9.3mΩ | ||
Tryb kanałowy N | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Napięcie przewodzenia Vf 1.2V | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 10nC | ||
Maksymalna strata mocy Pd 139W | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Wysokość 1.2mm | ||
Długość 5.35mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
To Infineon OptiMOS MOSFET oferuje najnowocześniejsze R DS(on) trench MOSFET wraz z szerokim bezpiecznym obszarem działania klasycznego planarnego MOSFET.
Doskonale sprawdza się w zastosowaniach z funkcją wymiany bez wyłączania systemu i z zastosowaniem bezpieczników elektronicznych
Powiązane linki
- MOSFET Typ N-kanałowy 87 A SuperSO 150 V N 8-pinowy Powierzchnia 139 W Infineon 9.3 mΩ
- MOSFET Typ N-kanałowy 234 A SuperSO 60 V N 8-pinowy Powierzchnia 139 W Infineon 1.6 mΩ
- MOSFET Typ N-kanałowy 234 A SuperSO 60 V N 8-pinowy Powierzchnia 139 W Infineon 1.6 mΩ BSC016N06NSTATMA1
- MOSFET zasilania Typ N-kanałowy 87 A PG-TDSON-8 150 V Rozszerzenie 8-pinowy Powierzchnia 139 W Infineon 8.8 mΩ
- MOSFET Typ N-kanałowy 56 A SuperSO 150 V N 8-pinowy Powierzchnia 96 W Infineon 16 mΩ
- MOSFET Typ N-kanałowy 24 A SuperSO 250 V N 8-pinowy Powierzchnia 150 W Infineon 67 mΩ
- MOSFET Typ N-kanałowy 56 A SuperSO 150 V N 8-pinowy Powierzchnia 96 W Infineon 16 mΩ BSC160N15NS5ATMA1
- MOSFET Typ N-kanałowy 24 A SuperSO 250 V N 8-pinowy Powierzchnia 150 W Infineon 67 mΩ BSC670N25NSFDATMA1