MOSFET Typ N-kanałowy 1.5 A TO-251 800 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 13 W Infineon 4.5 Ω IPU80R4K5P7AKMA1

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 20 sztuk/i)*

41,40 zł

(bez VAT)

51,00 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • Dodatkowe 60 szt. dostępne od 01 stycznia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
20 - 802,07 zł41,40 zł
100 - 1801,591 zł31,82 zł
200 - 4801,488 zł29,76 zł
500 - 9801,386 zł27,72 zł
1000 +0,932 zł18,64 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
222-4717
Nr części producenta:
IPU80R4K5P7AKMA1
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Typ kanału

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maksymalny ciągły prąd drenu Id

1.5A

Maksymalne napięcie dren-źródło Vds

800V

Typ obudowy

TO-251

Seria

CoolMOS

Typ montażu

Powierzchnia

Liczba styków

3

Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds

4.5Ω

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Napięcie przewodzenia Vf

0.9V

Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs

20 V

Maksymalna strata mocy Pd

13W

Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs

4nC

Minimalna temperatura robocza

-55°C

Maksymalna temperatura robocza

150°C

Wysokość

2.41mm

Długość

6.73mm

Szerokość

6.22 mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Norma motoryzacyjna

Nie

Konstrukcja Infineon serii Cool MOS™ P7 wyznacza nowy standard w zakresie technologii super połączeń 800V i łączy w sobie najlepszą w swojej klasie wydajność z prostotą obsługi technologii ART, wynikającą z ponad 18-letniego pionierskiego w dziedzinie technologii super połączeń.

Bezołowiowa powłoka przewodu; Zgodność z RoHS

Doskonała odporność termiczna testowana w 100% lawinowo

Nie zawiera halogenów, zgodnie z normą IEC61249-2-23

Powiązane linki