MOSFET Typ N-kanałowy 33 A ThinPAK 600 V Rozszerzenie 5-pinowy Powierzchnia 189 W Infineon 75 mΩ IPL60R075CFD7AUMA1
- Nr art. RS:
- 222-4912
- Nr części producenta:
- IPL60R075CFD7AUMA1
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*
50,89 zł
(bez VAT)
62,594 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 3698 szt. dostępne od 02 stycznia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 25,445 zł | 50,89 zł |
| 20 - 48 | 22,615 zł | 45,23 zł |
| 50 - 98 | 21,13 zł | 42,26 zł |
| 100 - 198 | 19,60 zł | 39,20 zł |
| 200 + | 18,295 zł | 36,59 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 222-4912
- Nr części producenta:
- IPL60R075CFD7AUMA1
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Typ kanału | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 33A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 600V | |
| Seria | IPL60R | |
| Typ obudowy | ThinPAK | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 5 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 75mΩ | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 1V | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 67nC | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | 20 V | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 189W | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Długość | 8.1mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Wysokość | 1.1mm | |
| Szerokość | 8.1 mm | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Typ kanału Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 33A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 600V | ||
Seria IPL60R | ||
Typ obudowy ThinPAK | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 5 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 75mΩ | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Napięcie przewodzenia Vf 1V | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 67nC | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs 20 V | ||
Maksymalna strata mocy Pd 189W | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Długość 8.1mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Wysokość 1.1mm | ||
Szerokość 8.1 mm | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Model Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 to najnowsza technologia MOSFET z wysokociśnieniowym superzłączem firmy Infleon, wyposażona w zintegrowaną diodę FAST Body, uzupełniająca serię CoolMOS™ 7. CoolMOS™ CFD7 ma zmniejszone obciążenie bramki (QG), poprawione działanie wyłączania i odwrotną opłatę za odzyskiwanie (Qrr) o 69% niższą w porównaniu z konkurencją, a także najniższy czas powrotu do normalnego stanu (TRR) na rynku.
Ultraszybka dioda ciała
Najlepsza w swojej klasie opłata za powrót do normalnego stanu (Qrr)
Poprawiona dioda biegu wstecznego dv/dt i wytrzymałość DIF/dt
Najniższy sygnał RDS FOM (WŁ.) x QG i Eoss
Najlepsze w swojej klasie kombinacje RDS(ON)/paczki
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 33 A ThinPAK 8 x 8 600 V SMD 75 m.Ω
- MOSFET N-kanałowy 40 A ThinPAK 8 x 8 600 V SMD 60 m.Ω
- MOSFET N-kanałowy 29 A ThinPAK 8 x 8 600 V SMD 65 m.Ω
- MOSFET N-kanałowy 19 A ThinPAK 8 x 8 600 V SMD 185 m.Ω
- MOSFET N-kanałowy 17 A ThinPAK 8 x 8 600 V SMD 120 m.Ω
- MOSFET N-kanałowy 75 A HSOF-8 600 V SMD 28 m.Ω
- MOSFET N-kanałowy 12 A ThinPAK 8 x 8 650 V SMD 195 m.Ω
- MOSFET N-kanałowy 28 A ThinPAK 8 x 8 650 V SMD 70 m.Ω
