Przetwornica DC-DC, 1.2W, Uwe 4,5 → 9 V DC, Uwy -5V dc, Iwy 240mA, Murata Power Solutions

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 rolka po 25 sztuk/i)*

1 623,04 zł

(bez VAT)

1 996,34 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
Tymczasowo niedostępny
  • Dostępne od 29 czerwca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Rolka (-i)
Na Rolki
Za jednostkę*
1 - 41 623,04 zł64,922 zł
5 - 91 574,33 zł62,973 zł
10 - 241 525,64 zł61,026 zł
25 - 491 476,95 zł59,078 zł
50 +1 428,21 zł57,128 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
173-6907
Nr części producenta:
MGJ6D052005WMC-R7
Producent:
Murata Power Solutions
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Murata Power Solutions

Napięcie wyjściowe

-5 V dc, 20V dc

Zakres napięcia wejściowego

4,5 → 9 V DC

Moc znamionowa

1.2 W, 4.8W

Nominalne napięcie wejściowe

5 V DC

Prąd wyjściowy

240mA

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Izolowany

Tak

Liczba wyjść

2

Obudowa

SMA

Napięcie izolacji

10.2kV dc

Głębokość

9.15mm

Długość

45.98mm

Szerokość

27.81mm

Seria

MGJ6

Regulacja obciążenia

0.1

Maksymalna temperatura

+105°C

Wydajność

77.5%

Temperatura minimalna

-40°C

Normy MET

IEC 61800-5-1, UL 60950

Kraj pochodzenia:
CN
Konfigurowalne podwójne napięcia wyjściowe +15 V/-10 V, +20 V/-5 V i +15 V/-5 V wytwarzane przez przetwornice DC-DC serii MGJ6 są idealne do zasilania obwodów „strony wysokiej” i „strony niskiej” sterowania bramką tranzystorów IGBT, a także tranzystorów Mosfet z krzemu i węglika krzemu w układach mostka. Wybór asymetrycznych napięć wyjściowych umożliwia uzyskanie optymalnych poziomów sterowania w celu zapewnienia najlepszej sprawności instalacji i optymalnych właściwości EMI. Charakterystyka serii MGJ6 jest przystosowana do wysokich wymagań izolacji i dv/dt typowych dla obwodów mostka w napędach silników i falowników. Styk wyłączania/synchronizacji częstotliwości upraszcza konstrukcję filtra EMC.

Brak optycznego sygnału zwrotnego
Zoptymalizowane dwubiegunowe napięcia wyjściowe do sterowania bramką tranzystorów IGBT/
SiC i MOSFET
Konfigurowalne wyjścia podwójne
Charakterystyczna odporność dv/dt 80 kV/μs przy 1,6 kV
Charakterystyczne częściowe wyładowanie
Odstęp izolacyjny 14 mm
Bardzo niska pojemność sprzęgania: 13 pF
Napięcie połączenia DC 3 kV DC

.


Powiązane linki