RAM, 8 GB, DDR5, gniazdo: SODIMM, 1.1V
- Nr art. RS:
- 267-7902
- Nr części producenta:
- M5S0-8GSYZ5VP
- Producent:
- InnoDisk
Niedostępny
Wkrótce artykuł zostanie wycofany z oferty
- Nr art. RS:
- 267-7902
- Nr części producenta:
- M5S0-8GSYZ5VP
- Producent:
- InnoDisk
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | InnoDisk | |
| Desktop/Laptop | Laptop | |
| Pojemność | 8 GB | |
| Przemysłowy | Tak | |
| Klasa pamięci | DDR5 | |
| Gniazdo pamięci | SODIMM | |
| Napięcie | 1.1V | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka InnoDisk | ||
Desktop/Laptop Laptop | ||
Pojemność 8 GB | ||
Przemysłowy Tak | ||
Klasa pamięci DDR5 | ||
Gniazdo pamięci SODIMM | ||
Napięcie 1.1V | ||
- Kraj pochodzenia:
- TW
Specyfikacja pamięci SDRAM InnoDisk DDR5 zapewnia znaczną poprawę pojemności, prędkości i napięcia. Dzięki konstrukcji układ scalony zarządzania zasilaniem jest przenoszony do układu DIMM, co zmniejsza liczbę zbędnych obwodów zarządzania zasilaniem na płytce głównej dla niewykorzystanych gniazd DIMM w poprzednich generacjach. DDR5 WT SODIMM oferuje najszybszą w branży prędkość pamięci 4800 MT/s, która doskonale pasuje do każdego zastosowania w pojazdach, nadzorze, automatyce i zastosowaniach wbudowanych.
Wstępne pobieranie 16 n-bitów
Dwa niezależne podkanały we/wy
Zakończone sterowanie i magistrala C/A
Dwa niezależne podkanały we/wy
Zakończone sterowanie i magistrala C/A