Intelligent Memory SDRAM IM1216SDBABG-6I 128 MB 54-pinowy FBGA Powierzchnia 16 bit 85 °C -40 °C
- Nr art. RS:
- 588-653
- Nr części producenta:
- IM1216SDBABG-6I
- Producent:
- Intelligent Memory
Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*
29,93 zł
(bez VAT)
36,814 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 10 szt. dostępne od 12 lutego 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 2 + | 14,965 zł | 29,93 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 588-653
- Nr części producenta:
- IM1216SDBABG-6I
- Producent:
- Intelligent Memory
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Intelligent Memory | |
| Rozmiar pamięci | 128MB | |
| Typ produktu | SDRAM | |
| Organizacja | 8M x 16 | |
| Szerokość magistrali danych | 16bit | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 200MHz | |
| Liczba bitów w słowie | 16 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 5ns | |
| Liczba słów | 8K | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | FBGA | |
| Liczba styków | 54 | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Normy/Zatwierdzenia | AEC-Q100, RoHS | |
| Szerokość | 8 mm | |
| Prąd zasilania | 65mA | |
| Minimalne napięcie zasilania | 3V | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 3.6V | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q100 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Intelligent Memory | ||
Rozmiar pamięci 128MB | ||
Typ produktu SDRAM | ||
Organizacja 8M x 16 | ||
Szerokość magistrali danych 16bit | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 200MHz | ||
Liczba bitów w słowie 16 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 5ns | ||
Liczba słów 8K | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy FBGA | ||
Liczba styków 54 | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Normy/Zatwierdzenia AEC-Q100, RoHS | ||
Szerokość 8 mm | ||
Prąd zasilania 65mA | ||
Minimalne napięcie zasilania 3V | ||
Maksymalne napięcie zasilania 3.6V | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q100 | ||
- Kraj pochodzenia:
- TW
Inteligentna pamięć czterobankowa synchroniczna pamięć DRAM zorganizowana jako 4 banki x 2 Mbit x 16. Osiąga wysoką prędkość przesyłania danych do 200 MHz dzięki zastosowaniu architektury układu, która wstępnie pobiera wiele bitów, a następnie synchronizuje dane wyjściowe z zegarem systemowym.
Wielokrotny odczyt wybuchu z pojedynczym zapisem
Automatyczne i kontrolowane polecenie wstępnego ładowania
Tryb wyłączenia
Automatyczne odświeżanie i automatyczne odświeżanie
Powiązane linki
- SDRAM 54-pinowy 166MHz SDR, Montaż powierzchniowy
- SDRAM 54-pinowy 166MHz SDR, Montaż powierzchniowy
- SDRAM 54-pinowy 166MHz SDR, Montaż powierzchniowy
- SDRAM 54-pinowy 166MHz SDR, Montaż powierzchniowy
- SDRAM 90-pinowy 166MHz SDR, Montaż powierzchniowy
- SDRAM 90-pinowy 166MHz SDR, Montaż powierzchniowy
- SDRAM 54-pinowy 133MHz SDR, Montaż powierzchniowy
- SDRAM 54-pinowy 166MHz Montaż powierzchniowy6 V, Od -40°C do +85°C