Winbond Mobilna pamięć LPDDR SDRAM W949D6DBHX5I 512 MB 60-pinowy VFBGA Powierzchnia 16 bit 85 °C -40 °C
- Nr art. RS:
- 188-2676
- Nr części producenta:
- W949D6DBHX5I
- Producent:
- Winbond
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)*
74,30 zł
(bez VAT)
91,40 zł
(z VAT)
Dodaj 25 sztuk/i, aby uzyskać bezpłatną dostawę
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 26 czerwca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 14,86 zł | 74,30 zł |
| 10 - 20 | 14,464 zł | 72,32 zł |
| 25 - 45 | 14,086 zł | 70,43 zł |
| 50 - 95 | 13,726 zł | 68,63 zł |
| 100 + | 13,384 zł | 66,92 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 188-2676
- Nr części producenta:
- W949D6DBHX5I
- Producent:
- Winbond
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Winbond | |
| Rozmiar pamięci | 512MB | |
| Typ produktu | Mobilna pamięć LPDDR SDRAM | |
| Organizacja | 64M x 8 Bit | |
| Szerokość magistrali danych | 16bit | |
| Szerokość magistrali adresowej | 15bit | |
| Liczba bitów w słowie | 8 | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 200MHz | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 5ns | |
| Liczba słów | 64M | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | VFBGA | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Liczba styków | 60 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Normy/Zatwierdzenia | LVCMOS Compatible | |
| Długość | 9.1mm | |
| Wysokość | 0.65mm | |
| Szerokość | 8.1 mm | |
| Seria | W949D6DB | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Minimalne napięcie zasilania | 1.7V | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 1.95V | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Winbond | ||
Rozmiar pamięci 512MB | ||
Typ produktu Mobilna pamięć LPDDR SDRAM | ||
Organizacja 64M x 8 Bit | ||
Szerokość magistrali danych 16bit | ||
Szerokość magistrali adresowej 15bit | ||
Liczba bitów w słowie 8 | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 200MHz | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 5ns | ||
Liczba słów 64M | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy VFBGA | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Liczba styków 60 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Normy/Zatwierdzenia LVCMOS Compatible | ||
Długość 9.1mm | ||
Wysokość 0.65mm | ||
Szerokość 8.1 mm | ||
Seria W949D6DB | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Minimalne napięcie zasilania 1.7V | ||
Maksymalne napięcie zasilania 1.95V | ||
Jest to 512 MB pamięci DDR SDRAM o niskim poborze mocy, uporządkowane jako 4 MB słów x 4 banki x 16 bitów.
Typ serii: Sekwencyjna lub przerywana
Standardowy tryb samoczynnego odświeżania
PASR, ATCSR, tryb wyłączenia zasilania z impulsem DPD
Programowalna siła sterownika bufora wyjścia
Cztery pakiety wewnętrzne do jednoczesnego działania
Dwukierunkowy stroboskop danych (DQS) jest przesyłany lub odbierany z danymi do użytku do rejestracji danych w odbiorniku
Powiązane linki
- SDRAM 60-pinowy 200MHz LPDDR Od 195 V, Od -40°C do +85°C
- SDRAM 90-pinowy 200MHz LPDDR Od 195 V, Od -40°C do +85°C
- SDRAM 84-pinowy 400MHz DDR2 Od 19 V, Od -40°C do +95°C
- SDRAM 60-pinowy 800MHz DDR2 Od 19 V, Od -40°C do +95°C
- SDRAM 54-pinowy 200MHz DDR Od 3 V do 3 Od -40°C do +85°C
- SDRAM 84-pinowy 200MHz DDR2 Od 19 V, Od -40°C do +95°C
- SDRAM 54-pinowy 200MHz DDR Od 3 V do 3 0°C do +70°C
- Pamięć DDR SDRAM 24-pinowy 200MHz DDR Od 1 Od -40°C do +105°C