SDRAM, 512Mbit, 54-pinowy 200MHz, TSOP, DDR, Montaż powierzchniowy, Od 3 V do 3,6 V, 0°C do +70°C
- Nr art. RS:
- 230-8425
- Nr części producenta:
- AS4C32M16SB-7TCN
- Producent:
- Alliance Memory
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 tacka po 108 sztuk/i)*
3 984,444 zł
(bez VAT)
4 900,824 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 108 szt. dostępne od 29 grudnia 2025
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tackę* |
|---|---|---|
| 108 - 216 | 36,893 zł | 3 984,44 zł |
| 324 - 432 | 35,233 zł | 3 805,16 zł |
| 540 - 972 | 34,063 zł | 3 678,80 zł |
| 1080 + | 33,212 zł | 3 586,90 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 230-8425
- Nr części producenta:
- AS4C32M16SB-7TCN
- Producent:
- Alliance Memory
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Alliance Memory | |
| Rozmiar pamięci | 512Mbit | |
| Klasa SDRAM | DDR | |
| Organizacja | 32M x 16 | |
| Szybkość transmisji danych | 200MHz | |
| Szerokość magistrali danych | 16bit | |
| Szerokość magistrali adresowej | 13bit | |
| Liczba bitów w słowie | 16bit | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 5.4ns | |
| Liczba słów | 32 M | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Typ opakowania | TSOP | |
| Liczba styków | 54 | |
| Wymiary | 22.35 x 10.29 x 1.2mm | |
| Wysokość | 1.2mm | |
| Długość | 22.35mm | |
| Minimalne robocze napięcie zasilania | 3 V | |
| Maksymalna temperatura robocza | +70°C | |
| Minimalna temperatura robocza | 0°C | |
| Maksymalne robocze napięcie zasilania | 3,6 V | |
| Szerokość | 10.29mm | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Alliance Memory | ||
Rozmiar pamięci 512Mbit | ||
Klasa SDRAM DDR | ||
Organizacja 32M x 16 | ||
Szybkość transmisji danych 200MHz | ||
Szerokość magistrali danych 16bit | ||
Szerokość magistrali adresowej 13bit | ||
Liczba bitów w słowie 16bit | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 5.4ns | ||
Liczba słów 32 M | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Typ opakowania TSOP | ||
Liczba styków 54 | ||
Wymiary 22.35 x 10.29 x 1.2mm | ||
Wysokość 1.2mm | ||
Długość 22.35mm | ||
Minimalne robocze napięcie zasilania 3 V | ||
Maksymalna temperatura robocza +70°C | ||
Minimalna temperatura robocza 0°C | ||
Maksymalne robocze napięcie zasilania 3,6 V | ||
Szerokość 10.29mm | ||
Pamięć SDRAM Alliance Memory 512 MB to szybka, synchroniczna pamięć DRAM CMOS o pojemności 512 Mb. Jest on wewnętrznie skonfigurowany jako 4 banków 8M Word x 16 DRAM z interfejsem synchronicznym (wszystkie sygnały są rejestrowane na dodatniej krawędzi sygnału zegara, CLK). Dostęp do odczytu i zapisu do pamięci SDRAM jest zorientowany na tryb zdjęć seryjnych
dostęp do programu rozpoczyna się w wybranej lokalizacji i jest kontynuowany dla zaprogramowanej liczby lokalizacji w zaprogramowanej sekwencji. Dostęp rozpoczyna się od rejestracji polecenia Bank Activate, po którym następuje polecenie odczyt lub Zapis.
Automatyczne odświeżanie i odświeżanie automatyczne
8192 cykli odświeżania/64 ms
Tryb CKE Power Down
Pojedynczy zasilacz +3.3V ±0,3V
8192 cykli odświeżania/64 ms
Tryb CKE Power Down
Pojedynczy zasilacz +3.3V ±0,3V
.
Powiązane linki
- SDRAM 54-pinowy 200MHz DDR Od 3 V do 3 0°C do +70°C
- SDRAM 54-pinowy 200MHz DDR Od 3 V do 3 Od -40°C do +85°C
- SDRAM 54-pinowy 200MHz DDR Od 3 V do 3 0°C do +70°C
- SDRAM 54-pinowy 166MHz DDR Od 3 V do 3 0°C do +70°C
- SDRAM 54-pinowy 166MHz DDR Od 3 V do 3 0°C do +70°C
- SDRAM 54-pinowy 200MHz DDR Od 3 V do 3 Od -40°C do +85°C
- SDRAM 54-pinowy 200MHz DDR Od 3 V do 3 0°C do +70°C
- SDRAM 50-pinowy 143MHz DDR Od 3 V do 3 0°C do +70°C