SDRAM, 64Mbit, 54-pinowy 200MHz, TSOP, DDR, Montaż powierzchniowy, Od 3 V do 3,6 V, Od -40°C do +85°C
- Nr art. RS:
- 230-8430P
- Nr części producenta:
- AS4C4M16SA-6TIN
- Producent:
- Alliance Memory
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa 10 sztuk/i (dostarczane na tacy/w zasobniku)*
106,84 zł
(bez VAT)
131,41 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 95 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 10 - 20 | 10,684 zł |
| 25 - 45 | 10,54 zł |
| 50 - 70 | 10,324 zł |
| 75 + | 10,116 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 230-8430P
- Nr części producenta:
- AS4C4M16SA-6TIN
- Producent:
- Alliance Memory
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Alliance Memory | |
| Rozmiar pamięci | 64Mbit | |
| Klasa SDRAM | DDR | |
| Organizacja | 4M x 16 | |
| Szybkość transmisji danych | 200MHz | |
| Szerokość magistrali danych | 16bit | |
| Szerokość magistrali adresowej | 13bit | |
| Liczba bitów w słowie | 16bit | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 5.4ns | |
| Liczba słów | 4M | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Typ opakowania | TSOP | |
| Liczba styków | 54 | |
| Wymiary | 22.35 x 10.29 x 1.2mm | |
| Wysokość | 1.2mm | |
| Długość | 22.35mm | |
| Maksymalne robocze napięcie zasilania | 3,6 V | |
| Szerokość | 10.29mm | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Minimalne robocze napięcie zasilania | 3 V | |
| Maksymalna temperatura robocza | +85°C | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Alliance Memory | ||
Rozmiar pamięci 64Mbit | ||
Klasa SDRAM DDR | ||
Organizacja 4M x 16 | ||
Szybkość transmisji danych 200MHz | ||
Szerokość magistrali danych 16bit | ||
Szerokość magistrali adresowej 13bit | ||
Liczba bitów w słowie 16bit | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 5.4ns | ||
Liczba słów 4M | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Typ opakowania TSOP | ||
Liczba styków 54 | ||
Wymiary 22.35 x 10.29 x 1.2mm | ||
Wysokość 1.2mm | ||
Długość 22.35mm | ||
Maksymalne robocze napięcie zasilania 3,6 V | ||
Szerokość 10.29mm | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Minimalne robocze napięcie zasilania 3 V | ||
Maksymalna temperatura robocza +85°C | ||
Pamięć SDRAM Alliance Memory 64 MB to szybka, synchroniczna pamięć DRAM CMOS o pojemności 64 Mb. Jest on wewnętrznie skonfigurowany jako 4 banków 1M Word x 16 DRAM z interfejsem synchronicznym (wszystkie sygnały są rejestrowane na dodatniej krawędzi sygnału zegara, CLK). Dostęp do odczytu i zapisu do pamięci SDRAM jest zorientowany na tryb zdjęć seryjnych
dostęp do programu rozpoczyna się w wybranej lokalizacji i jest kontynuowany dla zaprogramowanej liczby lokalizacji w zaprogramowanej sekwencji. Dostęp rozpoczyna się od rejestracji polecenia Bank Activate, po którym następuje polecenie odczyt lub Zapis.
Szybki czas dostępu od zegara: 4.5/5.4/5.4 ns
Szybka częstotliwość zegara: 200/166/143 MHz.
W pełni synchroniczne działanie
Wewnętrzna architektura z rurociągem
1 M słów x 16 bitów x 4 bank
Szybka częstotliwość zegara: 200/166/143 MHz.
W pełni synchroniczne działanie
Wewnętrzna architektura z rurociągem
1 M słów x 16 bitów x 4 bank