Alliance Memory SRAM 4 MB AS6C4008-55SIN Powierzchnia 32-pinowy 512k x 8 SOP-32
- Nr art. RS:
- 286-347
- Nr części producenta:
- AS6C4008-55SIN
- Producent:
- Alliance Memory
Suma częściowa (1 sztuka)*
30,87 zł
(bez VAT)
37,97 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 07 lipca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 + | 30,87 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 286-347
- Nr części producenta:
- AS6C4008-55SIN
- Producent:
- Alliance Memory
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Alliance Memory | |
| Rozmiar pamięci | 4MB | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Organizacja | 512k x 8 | |
| Liczba słów | 512K | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 55ns | |
| Minimalne napięcie zasilania | 2.7V | |
| Typ pomiaru czasu | Asynchroniczny | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 5.5V | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Typ obudowy | SOP-32 | |
| Liczba styków | 32 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Seria | AS6C4008 | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Prąd zasilania | 60mA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Alliance Memory | ||
Rozmiar pamięci 4MB | ||
Typ produktu SRAM | ||
Organizacja 512k x 8 | ||
Liczba słów 512K | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 55ns | ||
Minimalne napięcie zasilania 2.7V | ||
Typ pomiaru czasu Asynchroniczny | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Maksymalne napięcie zasilania 5.5V | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Typ obudowy SOP-32 | ||
Liczba styków 32 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Seria AS6C4008 | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Prąd zasilania 60mA | ||
- Kraj pochodzenia:
- TW
Alliance Memory Low Power CMOS to statyczna pamięć o dostępie swobodnym zorganizowana jako 524288 słów na 8 bitów. Jest on wytwarzany przy użyciu bardzo wydajnej i niezawodnej technologii CMOS. Prąd w trybie czuwania jest stabilny w zakresie temperatury roboczej. Jest dobrze zaprojektowany do zastosowań w systemach o bardzo niskim poborze mocy, a szczególnie dobrze nadaje się do zastosowań z nieulotną pamięcią podtrzymywaną bateryjnie. Działa z pojedynczego źródła zasilania o napięciu od 2,7 V do 5,5 V, a wszystkie wejścia i wyjścia są w pełni kompatybilne z TTL.
Pojedyncze zasilanie od 2,7 V do 5,5 V
Wszystkie wyjścia zgodne z TTL
W pełni statyczne działanie
Wyjście trójstanowe
Napięcie przechowywania danych 1,5 V
Powiązane linki
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bitów TSOP
- SRAM 4Mbit 512K x 8
- Pamięć SRAM 4Mbit 512k x 8
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512K x 8 TSOP-327 V do 5,5 V
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512K x 8 SOP-327 V do 5,5 V
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 36 -pinowy 512K x 8 TFBGA-367 V do 5,5 V
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bitów TSOP7 V do 5,5 V
- SRAM 4Mbit montaż Otwór przezierny 32 -pinowy 512k x 8 bitów PDIP7 V do 5,5 V
