SRAM 32Mbit Montaż powierzchniowy 48 -pinowy 2M słów x 16 bitów, 4M słów x 8 bitów TSOP
- Nr art. RS:
- 126-6971
- Nr części producenta:
- R1LV3216RSA-5SI#B1
- Producent:
- Renesas Electronics
Niedostępny
Wkrótce artykuł zostanie wycofany z oferty
- Nr art. RS:
- 126-6971
- Nr części producenta:
- R1LV3216RSA-5SI#B1
- Producent:
- Renesas Electronics
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Renesas Electronics | |
| Rozmiar pamięci | 32Mbit | |
| Organizacja | 2M słów x 16 bitów, 4M słów x 8 bitów | |
| Liczba słów | 2M, 4M | |
| Liczba bitów w słowie | 8 bit, 16 bit | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 55ns | |
| Szerokość magistrali adresowej | 20 bit, 21 bit | |
| Niski pobór energii | Tak | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Typ opakowania | TSOP | |
| Liczba styków | 48 | |
| Wymiary | 18.5 x 12.1 x 1.05mm | |
| Wysokość | 1.05mm | |
| Maksymalne robocze napięcie zasilania | 3,6 V | |
| Minimalne robocze napięcie zasilania | 2,7 V | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | +85°C | |
| Długość | 18.5mm | |
| Szerokość | 12.1mm | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Renesas Electronics | ||
Rozmiar pamięci 32Mbit | ||
Organizacja 2M słów x 16 bitów, 4M słów x 8 bitów | ||
Liczba słów 2M, 4M | ||
Liczba bitów w słowie 8 bit, 16 bit | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 55ns | ||
Szerokość magistrali adresowej 20 bit, 21 bit | ||
Niski pobór energii Tak | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Typ opakowania TSOP | ||
Liczba styków 48 | ||
Wymiary 18.5 x 12.1 x 1.05mm | ||
Wysokość 1.05mm | ||
Maksymalne robocze napięcie zasilania 3,6 V | ||
Minimalne robocze napięcie zasilania 2,7 V | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Maksymalna temperatura robocza +85°C | ||
Długość 18.5mm | ||
Szerokość 12.1mm | ||
SRAM o niskim poborze mocy, seria R1LV, Renesas Electronics
Zaawansowane statyczne moduły pamięci RAM niskiego napięcia serii R1LV są odpowiednie do zastosowań w pamięci, gdzie ważne są proste połączenia, praca na bateriach i Advanced Battery Backup.
Jedno źródło zasilania od 2,7 V do 3,6 V
Mały prąd gotowości
Brak zegarów, nie jest wymagane odświeżanie
Wszystkie wejścia i wyjścia są zgodne z TTL
Wyjścia trzystanowe: Lub-tie
Mały prąd gotowości
Brak zegarów, nie jest wymagane odświeżanie
Wszystkie wejścia i wyjścia są zgodne z TTL
Wyjścia trzystanowe: Lub-tie
.
SRAM (Static Random Access Memory)
Powiązane linki
- SRAM 64Mbit Montaż powierzchniowy 48 -pinowy 4M słów x 16 bitów, 8M słów x 8 bitów TSOP
- SRAM 16Mbit Montaż powierzchniowy 48 -pinowy 1M słów x 16 bitów, 2M słów x 8 bitów TSOP
- SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128K słów x 8 bitów TSOP
- SRAM 256kbit Montaż powierzchniowy 28 -pinowy 32K słów x 8 bitów TSOP
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512K słów x 8 bitów TSOP
- SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128K słów x 8 bitów sTSOP
- SRAM 256kbit Montaż powierzchniowy 28 -pinowy 32K słów x 8 bitów SOP
- SRAM 8Mbit Montaż powierzchniowy 52 -pinowy 1024K słów x 8 bitów, 512K słów x 16 bitów TSOP
