SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K słów x 16 bitów TSOP
- Nr art. RS:
- 126-6979
- Nr części producenta:
- RMLV0416EGSB-4S2#AA1
- Producent:
- Renesas Electronics
Niedostępny
Wkrótce artykuł zostanie wycofany z oferty
- Nr art. RS:
- 126-6979
- Nr części producenta:
- RMLV0416EGSB-4S2#AA1
- Producent:
- Renesas Electronics
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Renesas Electronics | |
| Rozmiar pamięci | 4Mbit | |
| Organizacja | 256K słów x 16 bitów | |
| Liczba słów | 256K | |
| Liczba bitów w słowie | 16bit | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 45ns | |
| Szerokość magistrali adresowej | 18bit | |
| Niski pobór energii | Tak | |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy | |
| Typ opakowania | TSOP | |
| Liczba styków | 44 | |
| Wymiary | 18.54 x 10.29 x 1.05mm | |
| Wysokość | 1.05mm | |
| Maksymalne robocze napięcie zasilania | 3,6 V | |
| Długość | 18.54mm | |
| Minimalne robocze napięcie zasilania | 2,7 V | |
| Maksymalna temperatura robocza | +85°C | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Szerokość | 10.29mm | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Renesas Electronics | ||
Rozmiar pamięci 4Mbit | ||
Organizacja 256K słów x 16 bitów | ||
Liczba słów 256K | ||
Liczba bitów w słowie 16bit | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 45ns | ||
Szerokość magistrali adresowej 18bit | ||
Niski pobór energii Tak | ||
Typ montażu Montaż powierzchniowy | ||
Typ opakowania TSOP | ||
Liczba styków 44 | ||
Wymiary 18.54 x 10.29 x 1.05mm | ||
Wysokość 1.05mm | ||
Maksymalne robocze napięcie zasilania 3,6 V | ||
Długość 18.54mm | ||
Minimalne robocze napięcie zasilania 2,7 V | ||
Maksymalna temperatura robocza +85°C | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Szerokość 10.29mm | ||
SRAM o niskim poborze mocy, RMLV Series, Renesas Electronics
Zaawansowane, Advanced statyczne moduły pamięci RAM RMLV firmy z serii RMLV charakteryzują się większą gęstością i niskim zużyciem prądu oraz niskim rozpraszaniem energii w trybie gotowości.
Jedno źródło zasilania od 2,7 V do 3,6 V
Czas dostępu: 45 ns (maks.)
Równy czas dostępu i cyklu
Wspólne wejście i wyjście danych z trzema stanowymi wyjściami
Wszystkie wejścia i wyjścia są zgodne z TTL
Nadaje się do awaryjnego zasilania akumulatorowego
Czas dostępu: 45 ns (maks.)
Równy czas dostępu i cyklu
Wspólne wejście i wyjście danych z trzema stanowymi wyjściami
Wszystkie wejścia i wyjścia są zgodne z TTL
Nadaje się do awaryjnego zasilania akumulatorowego
.
SRAM (Static Random Access Memory)
Powiązane linki
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256k x 16 TSOP7 V do 3,6 V
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512K słów x 8 bitów TSOP
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K x 16 bitów TSOP 1MHz
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K x 16 bitów TSOP
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K x 16 bitów TSOP 1MHz
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 256K x 16 bitów TSOP
- SRAM 8Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 1024K słów x 8 bitów TSOP
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256k x 16 bitów TSOP6 V
