Infineon SRAM 4096 kB CY62147EV30LL-45ZSXIT Powierzchnia 44-pinowy 256 k x 16 Bit TSOP 1 MHz
- Nr art. RS:
- 198-7997
- Nr części producenta:
- CY62147EV30LL-45ZSXIT
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)*
86,94 zł
(bez VAT)
106,935 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- Dodatkowe 990 szt. dostępne od 09 lutego 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 17,388 zł | 86,94 zł |
| 50 - 95 | 15,372 zł | 76,86 zł |
| 100 - 245 | 14,292 zł | 71,46 zł |
| 250 - 495 | 13,932 zł | 69,66 zł |
| 500 + | 13,572 zł | 67,86 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 198-7997
- Nr części producenta:
- CY62147EV30LL-45ZSXIT
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Rozmiar pamięci | 4096kB | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Organizacja | 256 k x 16 Bit | |
| Liczba słów | 256K | |
| Liczba bitów w słowie | 16 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 45ns | |
| Szerokość magistrali adresowej | 16bit | |
| Maksymalna częstotliwość zegara | 1MHz | |
| Typ pomiaru czasu | Asynchroniczny | |
| Minimalne napięcie zasilania | 2.2V | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 3.6V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Typ obudowy | TSOP | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Liczba styków | 44 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Wysokość | 1.05mm | |
| Długość | 18.51mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Seria | CY62147EV30 | |
| Szerokość | 10.26 mm | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Prąd zasilania | 20mA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Rozmiar pamięci 4096kB | ||
Typ produktu SRAM | ||
Organizacja 256 k x 16 Bit | ||
Liczba słów 256K | ||
Liczba bitów w słowie 16 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 45ns | ||
Szerokość magistrali adresowej 16bit | ||
Maksymalna częstotliwość zegara 1MHz | ||
Typ pomiaru czasu Asynchroniczny | ||
Minimalne napięcie zasilania 2.2V | ||
Maksymalne napięcie zasilania 3.6V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Typ obudowy TSOP | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Liczba styków 44 | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Wysokość 1.05mm | ||
Długość 18.51mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Seria CY62147EV30 | ||
Szerokość 10.26 mm | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Prąd zasilania 20mA | ||
Cypress CY62147EV30 to wydajna statyczna pamięć RAM CMOS (SRAM), Advanced Circuit Design, która zapewnia bardzo niski prąd aktywny. Ta funkcja sprawdza się idealnie w przypadku większej żywotności baterii (MBL) w zastosowaniach przenośnych.
Bardzo duża prędkość: 45 ns
Zakres napięcia: Od 4,5 V do 5,5 V.
Bardzo niski pobór mocy w trybie gotowości
Bardzo niski pobór mocy
Automatyczne wyłączanie po wyłączeniu
Powiązane linki
- SRAM 4096kbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256k x 16 bitów TSOP-44 1MHz2 V do 3,6 V
- SRAM 4096kbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bitów TSOP-32 1MHz2 V do 3,6 V
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256k x 16 TSOP-44 1MHz2 V do 3,6 V
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256k x 16 bitów TSOP 1MHz2 V do 3,6 V
- SRAM 4096kbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 512k x 8 bitów SOJ-32 1MHz2 V do 3,6 V
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K x 16 bitów TSOP 1MHz
- SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K x 16 bitów SOJ 1MHz
- Pamięć SRAM 4Mbit Montaż powierzchniowy 44 -pinowy 256K x 16 bitów TSOP 1MHz
