Renesas Electronics Pamięć SRAM 4 MB 71V416S12PHGI 44-pinowy 256k x 16

Asynchroniczna statyczna pamięć RAM firmy Renesas Electronics z centralną pamięcią pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci p Jest produkowany w technologii CMOS o wysokiej wydajności i niezawodności. Ta najnowocześniejsza technologia w połączeniu z innowacyjnymi technikami projektowania obwodów stanowi ekonomiczne rozwiązanie dla potrzeb pamięci o wysokiej prędkości. Jest wyposażony w styk aktywacji wyjścia, który pracuje z prędkością do 5 ns, a czas dostępu do adresu z prędkością do 10 ns. Znajduje się w 44-stykowej plastikowej obudowie SOJ 400 mil i 44-stykowej obudowie TSOP typu II 400 mil oraz w 48-stykowej obudowie z siatką kulkową 9 mm x 9 mm.

Zaawansowana szybka statyczna pamięć RAM CMOS 256 K x 16, zasilanie centralne JEDEC / wyprowadzenie styków GND w celu zmniejszenia szumów. Jeden wybór układu i jeden wyjście umożliwiające styki Dwukierunkowe wejścia i wyjścia danych bezpośrednio zgodne z LVTTL Niskie zużycie energii poprzez wyłączanie wyboru układu Górne i dolne styki włączania Pojedyncze zasilanie 3,3 V Dostępne w 44-stykowej, 400 mil plastikowej obudowie SOJ i 44-stykowej, 400 mil TSOP typu II obudowie oraz 48-stykowej obudowie z siatką kulkową 9 mm x 9 mm. Dostępne zielone części, patrz informacje dotyczące zamówienia