Renesas Electronics Pamięć SRAM 4 MB 71V416S12PHGI 44-pinowy 256k x 16

Zobacz wszystkie SRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 sztuka)*

38,34 zł

(bez VAT)

47,16 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • Dodatkowe 94 szt. dostępne od 09 lutego 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 - 938,34 zł
10 - 2435,33 zł
25 - 4934,61 zł
50 - 7433,93 zł
75 +33,17 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
254-4967
Nr części producenta:
71V416S12PHGI
Producent:
Renesas Electronics
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Renesas Electronics

Rozmiar pamięci

4MB

Typ produktu

Pamięć SRAM

Organizacja

256k x 16

Liczba słów

262144 Words

Liczba bitów w słowie

16

Maksymalny czas dostępu swobodnego

12ns

Szerokość magistrali adresowej

18bit

Minimalne napięcie zasilania

3V

Typ pomiaru czasu

Asynchroniczny

Maksymalne napięcie zasilania

3.6V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Liczba styków

44

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Wysokość

9mm

Długość

9mm

Normy/Zatwierdzenia

JEDECLVTTL-Compatible

Seria

71V416

Norma motoryzacyjna

Nie

Prąd zasilania

200mA

Asynchroniczna statyczna pamięć RAM firmy Renesas Electronics z centralną pamięcią pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci pamięci p Jest produkowany w technologii CMOS o wysokiej wydajności i niezawodności. Ta najnowocześniejsza technologia w połączeniu z innowacyjnymi technikami projektowania obwodów stanowi ekonomiczne rozwiązanie dla potrzeb pamięci o wysokiej prędkości. Jest wyposażony w styk aktywacji wyjścia, który pracuje z prędkością do 5 ns, a czas dostępu do adresu z prędkością do 10 ns. Znajduje się w 44-stykowej plastikowej obudowie SOJ 400 mil i 44-stykowej obudowie TSOP typu II 400 mil oraz w 48-stykowej obudowie z siatką kulkową 9 mm x 9 mm.

Zaawansowana szybka statyczna pamięć RAM CMOS 256 K x 16, zasilanie centralne JEDEC / wyprowadzenie styków GND w celu zmniejszenia szumów. Jeden wybór układu i jeden wyjście umożliwiające styki Dwukierunkowe wejścia i wyjścia danych bezpośrednio zgodne z LVTTL Niskie zużycie energii poprzez wyłączanie wyboru układu Górne i dolne styki włączania Pojedyncze zasilanie 3,3 V Dostępne w 44-stykowej, 400 mil plastikowej obudowie SOJ i 44-stykowej, 400 mil TSOP typu II obudowie oraz 48-stykowej obudowie z siatką kulkową 9 mm x 9 mm. Dostępne zielone części, patrz informacje dotyczące zamówienia

Powiązane linki