Infineon SRAM 16 MB CY62167EV30LL-45BVXI Powierzchnia 48-pinowy TSOP I
- Nr art. RS:
- 273-5283
- Nr części producenta:
- CY62167EV30LL-45BVXI
- Producent:
- Infineon
Suma częściowa (1 tacka po 480 sztuk/i)*
20 502,72 zł
(bez VAT)
25 218,24 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 23 lutego 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tackę* |
|---|---|---|
| 480 + | 42,714 zł | 20 502,72 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 273-5283
- Nr części producenta:
- CY62167EV30LL-45BVXI
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Rozmiar pamięci | 16MB | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Liczba bitów w słowie | 16 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 45ns | |
| Minimalne napięcie zasilania | 0.3V | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 3.9V | |
| Typ obudowy | TSOP I | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Liczba styków | 48 | |
| Wysokość | 12mm | |
| Seria | CY62167EV30 | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS | |
| Szerokość | 1.05 mm | |
| Długość | 20mm | |
| Prąd zasilania | 35mA | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Rozmiar pamięci 16MB | ||
Typ produktu SRAM | ||
Liczba bitów w słowie 16 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 45ns | ||
Minimalne napięcie zasilania 0.3V | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Maksymalne napięcie zasilania 3.9V | ||
Typ obudowy TSOP I | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Liczba styków 48 | ||
Wysokość 12mm | ||
Seria CY62167EV30 | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS | ||
Szerokość 1.05 mm | ||
Długość 20mm | ||
Prąd zasilania 35mA | ||
Pamięć SRAM firmy Infineon to wysokowydajna statyczna pamięć RAM CMOS zorganizowana jako 1 mln słów na 16 bitów lub 2 mln słów na 8 bitów. Urządzenie to jest wyposażone w zaawansowaną konstrukcję obwodu, która zapewnia bardzo niski prąd czynny. Bardzo niski prąd czynny jest idealny do zapewnienia większej żywotności baterii w zastosowaniach przenośnych, takich jak telefony komórkowe. Urządzenie jest również wyposażone w funkcję automatycznego wyłączenia, która zmniejsza zużycie energii o 99 procent, gdy adresy nie są wyłączane.
Bardzo wysoka prędkość
Bardzo niska moc czynna
Bardzo niska moc w trybie gotowości
CMOS zapewnia optymalną prędkość i moc
Automatyczne wyłączenie po wyłączeniu
Powiązane linki
- Infineon SRAM 16 MB CY62167EV30LL-45BVXI Powierzchnia 48-pinowy TSOP I
- SRAM 16Mbit Montaż powierzchniowy 48 -pinowy 1 MB x 16 bitów TSOP 1MHz2 V do 3,6 V
- Infineon SRAM 2 MB CY62136EV30LL-45ZSXI 48-pinowy
- Pamięć SRAM 16Mbit Montaż powierzchniowy 48 -pinowy 1 MB x 16 bitów TSOP
- SRAM 16Mbit Montaż powierzchniowy 48 -pinowy 1 MB x 16 bitów TSOP4 V do 3,6 V
- Infineon SRAM 1 MB CY7C1021DV33-10ZSXI 44-pinowy 100 MHz
- Infineon SRAM
- SRAM 64Mbit Montaż powierzchniowy 48 -pinowy 4 MB x 16 bitów FBGA
