Infineon SRAM 2 MB CY62136EV30LL-45ZSXI 48-pinowy 128K x 16 bit
- Nr art. RS:
- 273-7334
- Nr części producenta:
- CY62136EV30LL-45ZSXI
- Producent:
- Infineon
Suma częściowa (1 tacka po 135 sztuk/i)*
1 869,615 zł
(bez VAT)
2 299,59 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 23 lipca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Tackę* |
|---|---|---|
| 135 + | 13,849 zł | 1 869,62 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 273-7334
- Nr części producenta:
- CY62136EV30LL-45ZSXI
- Producent:
- Infineon
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Rozmiar pamięci | 2MB | |
| Typ produktu | SRAM | |
| Organizacja | 128K x 16 bit | |
| Liczba słów | 128k | |
| Liczba bitów w słowie | 16 | |
| Maksymalny czas dostępu swobodnego | 45ns | |
| Minimalne napięcie zasilania | 2.2V | |
| Maksymalne napięcie zasilania | 3.6V | |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C | |
| Maksymalna temperatura robocza | 85°C | |
| Liczba styków | 48 | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Seria | MoBL | |
| Prąd zasilania | 15mA | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Rozmiar pamięci 2MB | ||
Typ produktu SRAM | ||
Organizacja 128K x 16 bit | ||
Liczba słów 128k | ||
Liczba bitów w słowie 16 | ||
Maksymalny czas dostępu swobodnego 45ns | ||
Minimalne napięcie zasilania 2.2V | ||
Maksymalne napięcie zasilania 3.6V | ||
Minimalna temperatura robocza -40°C | ||
Maksymalna temperatura robocza 85°C | ||
Liczba styków 48 | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Seria MoBL | ||
Prąd zasilania 15mA | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Statyczna pamięć RAM firmy Infineon to wysokowydajna statyczna pamięć RAM CMOS zorganizowana jako 128 000 słów na 16 bitów. To urządzenie jest wyposażone w zaawansowaną konstrukcję obwodu zapewniającą bardzo niski prąd aktywny. Jest to idealne rozwiązanie do zapewnienia dłuższej żywotności baterii w zastosowaniach przenośnych, takich jak telefony komórkowe. Urządzenie jest również wyposażone w funkcję automatycznego wyłączenia, która znacznie zmniejsza zużycie energii, gdy adresy nie są wyłączane. Umieszczenie urządzenia w trybie gotowości zmniejsza zużycie energii o ponad 99 procent po wyłączeniu.
Wysoka prędkość
Bardzo niska moc czynna
Łatwe rozszerzenie pamięci
CMOS dla optymalnej szybkości i mocy
Automatyczne wyłączanie zasilania po usunięciu zaznaczenia
Powiązane linki
- Infineon SRAM 2 MB 48-pinowy 128K x 16 bit
- Infineon SRAM 2 MB CY62136FV30LL-45ZSXI 22-pinowy 128k x 16
- Infineon SRAM 2 MB Powierzchnia 48-pinowy 128k x 16 Bit VFBGA 1 MHz
- Infineon SRAM 2 MB CY62137FV30LL-45BVXI Powierzchnia 48-pinowy 128k x 16 Bit VFBGA 1 MHz
- Infineon SRAM 1 MB CY62128ELL-45ZXI 32-pinowy 128k x 16 Bit TSOP
- Infineon SRAM 1 MB CY7C1018DV33-10VXIT Otwór przelotowy 32-pinowy 128K x 8 bit SOJ
- Infineon SRAM 4 MB CY62148ELL-45ZSXI 32-pinowy 512k x 8 SOIC
- Infineon SRAM 1 MB Powierzchnia 16-pinowy 128K x 8 bit SOIC 104 MHz
