Sterownik bramki MOSFET 11-pinowy 500 mA PG-VSON-10 1EDN7146GXTMA1 11V
- Nr art. RS:
- 240-8523
- Nr części producenta:
- 1EDN7146GXTMA1
- Producent:
- Infineon
Suma częściowa (1 rolka po 4000 sztuk/i)*
4 512,00 zł
(bez VAT)
5 548,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- Dostępne od 06 kwietnia 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Na Rolki* |
|---|---|---|
| 4000 + | 1,128 zł | 4 512,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 240-8523
- Nr części producenta:
- 1EDN7146GXTMA1
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | |
| Prąd wyjściowy | 500 mA | |
| Napięcie zasilania | 11V | |
| Liczba styków | 11 | |
| Typ opakowania | PG-VSON-10 | |
| Czas zanikania | 11ns | |
| Typ sterownika | MOSFET | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Infineon | ||
Prąd wyjściowy 500 mA | ||
Napięcie zasilania 11V | ||
Liczba styków 11 | ||
Typ opakowania PG-VSON-10 | ||
Czas zanikania 11ns | ||
Typ sterownika MOSFET | ||
Sterownik Infineon EiceDRIVER™ 1EDN7114G to jednokanałowy sterownik bramki IC zoptymalizowany pod kątem zgodności z HEMT CoolGaN™ i zgodny z innymi HEMT Schottky Gate (SG) GAN i MOSFET Silicon, dzięki funkcji prawdziwie różnicowego wejścia (TDI), Stan wyjścia sterownika bramki jest sterowany wyłącznie przez różnicę napięcia między dwoma wejściami, całkowicie niezależną od potencjału odniesienia (uziemienia) kierowcy, o ile napięcie w trybie wspólnym jest niższe niż 150 V (statyczne) i 200 V (dynamiczne). Eliminuje to ryzyko fałszywych wyzwolenia z powodu odbijania się gruntu w zastosowaniach po niskiej stronie, a jednocześnie pozwala 1EDN7114G na rozwiązanie nawet w zastosowaniach po wysokiej stronie.
Unikać fałszywych odpalenia w przypadku pracy po stronie niskiej lub wysokiej
Wysoki zakres napięcia wejściowego trybu wspólnego dla pracy po stronie wysokiej
Niezawodne działanie podczas szybkich stanów nieustalonych przełączania
Zgodność z logiką wejściową 3.3 V lub 5 V.
Aktywny zacisk Miller z funkcją zlewoni 5 A, aby uniknąć wymuszone włączenia
Regulowana pompa zasilająca do ujemnego napięcia zasilania wyłączanego
Nadaje się do prowadzenia GAN HEMT lub Si MOSFET
Posiada kwalifikacje zgodne z JEDEC do zastosowań docelowych
Wysoki zakres napięcia wejściowego trybu wspólnego dla pracy po stronie wysokiej
Niezawodne działanie podczas szybkich stanów nieustalonych przełączania
Zgodność z logiką wejściową 3.3 V lub 5 V.
Aktywny zacisk Miller z funkcją zlewoni 5 A, aby uniknąć wymuszone włączenia
Regulowana pompa zasilająca do ujemnego napięcia zasilania wyłączanego
Nadaje się do prowadzenia GAN HEMT lub Si MOSFET
Posiada kwalifikacje zgodne z JEDEC do zastosowań docelowych
.
Powiązane linki
- Sterownik bramki MOSFET 11-pinowy 500 mA PG-VSON-10 1EDN7146GXTMA1 11V
- Sterownik bramki MOSFET 11-pinowy 1 A PG-VSON-10 1EDN7136GXTMA1 11V
- Sterownik bramki MOSFET 11-pinowy 2 A PG-VSON-10 1EDN7116GXTMA1 11V
- Sterownik bramki MOSFET 11-pinowy 1,5 A PG-VSON-10 1EDN7126GXTMA1 11V
- Sterownik bramki MOSFET 24-pinowy 350 mA PG-DSO 6ED2230S12TXUMA1 20V
- Sterownik bramki MOSFET 28-pinowy 165 mA PG-DSO 6EDL04I06NTXUMA1 17.5V
- Sterownik bramki MOSFET 8-pinowy 360 mA PG-DSO 2EDL05I06PFXUMA1 20V
- Sterownik bramki MOSFET 28-pinowy 165 mA PG-DSO 6EDL04N02PRXUMA1 17.5V
