onsemi Tranzystor TO-92 160 V 3-pinowy NPN Otwór przelotowy 600 mA 2N5551TA
- Nr art. RS:
- 166-3205
- Nr części producenta:
- 2N5551TA
- Producent:
- onsemi
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Zobacz ceny hurtoweSuma częściowa (1 taśma po 2000 sztuk/i)*
486,00 zł
(bez VAT)
598,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
Ostatni magazyn RS
- Ostatnie 2000 sztuk, gotowe do wysyłki z innej lokalizacji
Produkty | Za jednostkę | Za Taśmę* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 0,243 zł | 486,00 zł |
| 4000 + | 0,228 zł | 456,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 166-3205
- Nr części producenta:
- 2N5551TA
- Producent:
- onsemi
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | |
| Typ produktu | Tranzystor | |
| Maksymalny prąd DC kolektora Idc | 600mA | |
| Maksymalne napięcie emitera kolektora Vceo | 160V | |
| Typ obudowy | TO-92 | |
| Typ montażu | Otwór przelotowy | |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedyncza | |
| Maksymalne napięcie podstawy kolektora VCBO | 180V | |
| Minimalne wzmocnienie prądu DC hFE | 30 | |
| Polaryzacja tranzystora | NPN | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 625mW | |
| Maksymalna częstotliwość przejściowa ft | 100MHz | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalne napięcie podstawy emitera VEBO | 6V | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Seria | 2N5551 | |
| Długość | 5.2mm | |
| Wysokość | 21.77mm | |
| Szerokość | 4.19mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka onsemi | ||
Typ produktu Tranzystor | ||
Maksymalny prąd DC kolektora Idc 600mA | ||
Maksymalne napięcie emitera kolektora Vceo 160V | ||
Typ obudowy TO-92 | ||
Typ montażu Otwór przelotowy | ||
Konfiguracja tranzystora Pojedyncza | ||
Maksymalne napięcie podstawy kolektora VCBO 180V | ||
Minimalne wzmocnienie prądu DC hFE 30 | ||
Polaryzacja tranzystora NPN | ||
Maksymalna strata mocy Pd 625mW | ||
Maksymalna częstotliwość przejściowa ft 100MHz | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalne napięcie podstawy emitera VEBO 6V | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Seria 2N5551 | ||
Długość 5.2mm | ||
Wysokość 21.77mm | ||
Szerokość 4.19mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
Tranzystory NPN z małym sygnałem, powyżej 100 V, Fairchild Semiconductor
Tranzystory bipolarne, Fairchild Semiconductor
Szeroki zakres bipolarnych tranzystorów połączeniowych (BJT) zapewnia kompletne rozwiązania do różnych zastosowań obwodu. Innowacyjne obudowy zostały zaprojektowane z myślą o minimalnych rozmiarach, najwyższej niezawodności i maksymalnej wydajności termicznej.
Powiązane linki
- Tranzystor NPN TO-92 160 V Otwór przezierny 600 mA 2N5551TA
- onsemi Tranzystor TO-92 160 V 3-pinowy NPN Otwór przelotowy 600 mA
- onsemi Tranzystor TO-92 160 V 3-pinowy NPN Otwór przelotowy 600 mA 2N5551TF
- onsemi Tranzystor TO-92 160 V 3-pinowy NPN Otwór przelotowy 600 mA 2N5551BU
- onsemi Cyfrowy tranzystor 160 V TO-92 NPN 3-pinowy Otwór przelotowy
- onsemi Cyfrowy tranzystor 160 V TO-92 NPN 3-pinowy Otwór przelotowy KSC2383OTA
- onsemi Tranzystor TO-92 160 V 3-pinowy NPN Otwór przelotowy 1 A
- onsemi Tranzystor TO-92 160 V 3-pinowy NPN Otwór przelotowy 1 A KSC2383YTA